公开(公告)号：CN101553753A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780045437.5

申请日：2007-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 酒井明 ,  宫田浩克 ,  浅尾恭史 ,  石田阳平 ,  P·J·马丁 ,  A·本达维德

IPC: G02F1/1337 ,  C23C14/24

CPC classification number: G02F1/133734

Abstract: 提供一种液晶光学设备的制造方法，该制造方法包括：配向膜形成步骤，在基板上形成含有硅氧化物的配向膜；以及液晶单元形成步骤，设置一对基板，所述一对基板彼此相对，其间插入有液晶，所述一对基板中的至少一个上面已形成有配向膜。在所述配向膜形成步骤中，用使用含硅的阴极的真空电弧放电产生的等离子束轰击基板的表面，其中基板以一角度倾斜地设置在等离子束的行程上。当等离子束轰击基板表面时，与形成具有柱体结构的膜的等离子束中的等离子体离子相比，以所述角度倾斜地轰击基板时的等离子束中的等离子体离子具有更高的动能或更高的通量密度。