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公开(公告)号：CN1112293A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明用来制造高效和低损耗的光电池，本发明也用连续地卷装进出法在大面积无不均匀现象高速均匀地加工这种光电池。用RF等离子CVD法形成i-型半导体层的顶部电池，用微波等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。用等离子掺杂形成在入射光侧的掺杂层的顶部电池，用RF等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。本发明的任务通过分别与二层或三层串联型光电池的各层相应地设置膜形成室用连续地卷装进出法连续形成半导体叠层来完成。
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公开(公告)号：CN1156022C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1507011A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1163945A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1160483C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1056016C
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括：用高频等离子CVD法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成i-型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述i-型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。
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公开(公告)号：CN1269189C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1260599A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99127779.1
申请日：1999-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67236 , H01L21/67253 , H01L21/6776
Abstract: 一种衬底处理方法,包括输送衬底通过相互连通的多个处理空间,并在其中处理所述衬底的步骤,其中根据作为所述多个处理空间之一的处理空间(a)的内压来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压。以及一种衬底处理设备,包括多个处理空间、衬底输送装置和压力计,其中,所述衬底处理设备具有用于根据从所述压力计获得的信息,来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压的控制单元。
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公开(公告)号：CN1186347A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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