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公开(公告)号：CN1056016C
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括：用高频等离子CVD法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成i-型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述i-型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。
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公开(公告)号：CN1469494A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03141214.9
申请日：2003-06-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 保野笃司
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/028 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件进行叠层光电转换元件中，提供在多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度和/或碳原子浓度有极大值的峰的光电转换元件。因此提供使p/n界面的结构稳定，提高界面特性及膜粘附性，光电转换效率高的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN1402361A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02142586.8
申请日：2002-06-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 保野笃司
IPC: H01L31/068 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/068 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种由硅基非单晶半导体构成、设置含有至少一个p/n型接合的发电层的光电元件，上述发电层的p/n型接合部界面中具有氮浓度成为最大的峰值，而且该氮浓度为1×1018原子/厘米3～1×1020原子/厘米3。这种光电元件的光电转换效率高且可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1223013C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03141214.9
申请日：2003-06-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 保野笃司
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/028 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 在具有由硅系非单晶半导体材料构成的pn或pin结构的多个单位元件进行叠层光电转换元件中，提供在多个单位元件间的p/n界面附近，氧原子浓度和/或碳原子浓度有极大值的峰的光电转换元件。因此提供使p/n界面的结构稳定，提高界面特性及膜粘附性，光电转换效率高的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN1112293A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明用来制造高效和低损耗的光电池，本发明也用连续地卷装进出法在大面积无不均匀现象高速均匀地加工这种光电池。用RF等离子CVD法形成i-型半导体层的顶部电池，用微波等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。用等离子掺杂形成在入射光侧的掺杂层的顶部电池，用RF等离子CVD法形成中间电池和/或底部电池。本发明的任务通过分别与二层或三层串联型光电池的各层相应地设置膜形成室用连续地卷装进出法连续形成半导体叠层来完成。
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公开(公告)号：CN1186823C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02142586.8
申请日：2002-06-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 保野笃司
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/068 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种由硅基非单晶半导体构成、设置含有至少一个p/n型接合的发电层的光电元件，上述发电层的p/n型接合部界面中具有氮浓度成为最大的峰值，而且该氮浓度为1×1018原子/厘米3～1×1020原子/厘米3。这种光电元件的光电转换效率高且可靠性高。
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公开(公告)号：CN1124365C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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公开(公告)号：CN1158912A
公开(公告)日：1997-09-10
申请号：CN96123838.0
申请日：1996-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545
Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。
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