公开(公告)号：CN1124365C

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN96123838.0

申请日：1996-12-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山公一朗 ,  越前裕 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  吉野毫人 ,  保野笃司 ,  吉田耕平 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/545

Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。

公开(公告)号：CN1158912A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96123838.0

申请日：1996-12-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山公一朗 ,  越前裕 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  吉野毫人 ,  保野笃司 ,  吉田耕平 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/545

Abstract: 本发明提供了一种镀膜形成方法和镀膜形成装置，这种方法和装置能够在膜形成表面不引起刻痕，提高成品率，能保持稳定放电以连续形成质地均匀、厚度一致的镀膜，镀膜通过沿长度方向连续运送带状基质形成，这样它构成了放电区的一部分，在基质运送过程中，由滚筒将构成放电区一部分的基质的横断面形状改变为弯曲形状。