公开(公告)号：CN1197997A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109428.7

申请日：1998-03-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矢岛孝博 ,  藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金开正博 ,  大利博和 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/1055 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺,在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层;在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层,同时降低它的膜形成速度;以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此,可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。

公开(公告)号：CN1097299C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN98109428.7

申请日：1998-03-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矢岛孝博 ,  藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金开正博 ,  大利博和 ,  酒井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/1055 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。