-
公开(公告)号：CN110800213B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880043188.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本公开的弹性波元件(1)具有压电基板(2)、和被配置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。所述IDT电极(3)具备包含Al的第一层(35)与包含CuAl2合金的第二层(37)的层叠构造。通过第二层(37)，能够提供耐电力性优异的弹性波元件(1)。
-
公开(公告)号：CN110800213A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880043188.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 本公开的弹性波元件(1)具有压电基板(2)、和被配置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。所述IDT电极(3)具备包含Al的第一层(35)与包含CuAl2合金的第二层(37)的层叠构造。通过第二层(37)，能够提供耐电力性优异的弹性波元件(1)。
-
公开(公告)号：CN114128144A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080044422.2
申请日：2020-06-26
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 南部雅树
Abstract: 在弹性波装置中，基板在面向其法线方向的一侧的第1主面具有压电性的规定区域。激励电极位于规定区域。盖从所述一侧覆盖激励电极和第1主面。包围部覆盖基板的侧面以及罩的侧面，且具有绝缘性。配线层包括在上述一侧露出的外部端子，从上述一侧与罩以及包围部重叠。连接导体连接激励电极和外部端子。连接导体包含从比盖的所述一侧的上表面更靠近基板侧的位置至外部端子的第一部分。第1部分的熔点为450℃以上。
-
公开(公告)号：CN103460600B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201280018203.2
申请日：2012-04-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H01L41/047 , H01L41/053 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H03H3/08 , H03H9/059 , H03H9/1085 , H03H9/1092 , H01L2924/00
Abstract: 电子部件(51)包括：安装基板(53)；位于安装基板(53)的安装面(53a)上的突起物(57)；以及位于突起物(57)上并连接于突起物(57)的SAW装置(1)。SAW装置(1)包括：元件基板(3)；位于元件基板(3)的第一主面(3a)上的激励电极(5)；位于第一主面(3a)上并与激励电极(5)连接的焊盘(7)；以及位于激励电极(5)上并在焊盘(7)上形成焊盘露出部(9h)的盖(9)。另外，SAW装置(1)使盖(9)的上表面(9a)与安装面(53a)对置，使突起物(57)位于焊盘露出部(9h)内，并使焊盘(7)抵接于突起物(57)。
-
公开(公告)号：CN103460600A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280018203.2
申请日：2012-04-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H01L41/047 , H01L41/053 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H03H3/08 , H03H9/059 , H03H9/1085 , H03H9/1092 , H01L2924/00
Abstract: 电子部件(51)包括：安装基板(53)；位于安装基板(53)的安装面(53a)上的突起物(57)；以及位于突起物(57)上并连接于突起物(57)的SAW装置(1)。SAW装置(1)包括：元件基板(3)；位于元件基板(3)的第一主面(3a)上的激励电极(5)；位于第一主面(3a)上并与激励电极(5)连接的焊盘(7)；以及位于激励电极(5)上并在焊盘(7)上形成焊盘露出部(9h)的盖(9)。另外，SAW装置(1)使盖(9)的上表面(9a)与安装面(53a)对置，使突起物(57)位于焊盘露出部(9h)内，并使焊盘(7)抵接于突起物(57)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110447169B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880018815.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: SAW装置具有：压电基板；IDT电极，位于压电基板的上表面；外罩，从IDT电极的上方覆盖压电基板的上表面；至少一个第1贯通导体，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通；至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比第1贯通导体更靠压电基板的内侧的位置，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通，且直径比第1贯通导体小；和导电层，位于外罩的上表面，与第2贯通导体的上端重叠。
-
公开(公告)号：CN110447169A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880018815.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: SAW装置具有：压电基板；IDT电极，位于压电基板的上表面；外罩，从IDT电极的上方覆盖压电基板的上表面；至少一个第1贯通导体，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通；至少一个第2贯通导体，俯视情况下位于比第1贯通导体更靠压电基板的内侧的位置，从压电基板的上表面侧向外罩的上表面侧将外罩的至少一部分贯通，且直径比第1贯通导体小；和导电层，位于外罩的上表面，与第2贯通导体的上端重叠。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.018 seconds)
