公开(公告)号：CN103119847A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180046302.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  岸野哲也 ,  田中宏行 ,  小林京平 ,  山本显嗣 ,  下园雅久 ,  生田贵纪 ,  西村道明

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/6406

Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。

公开(公告)号：CN105191125B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480025569.1

申请日：2014-03-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 仲井刚 ,  岸野哲也 ,  下园雅久 ,  西村由里子

IPC: H03H9/72 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/76 ,  H03H9/0038 ,  H03H9/02755 ,  H03H9/542 ,  H03H9/6406 ,  H03H9/6483 ,  H03H9/6489 ,  H03H9/725 ,  H04B7/24 ,  H04L5/14

Abstract: 本发明提供一种分波器以及通信模块。分波器(1)具有：接收信号波以及干扰波的天线端子(3)；与天线端子(3)连接的发送滤波器(11)；与天线端子(3)连接并接收所述信号波的一部分，将比发送滤波器(11)的通带高的频率范围设为通带的接收滤波器(13)；和与天线端子(3)连接并且与接地连接，位置比发送滤波器(11)以及接收滤波器(13)更靠天线端子(3)侧的干扰波谐振器(15)。干扰波谐振器(15)在比发送滤波器(11)更靠天线端子(3)侧并且比接收滤波器(13)更靠天线端子(3)侧的位置与天线端子(3)连接。干扰波谐振器(15)的谐振频率是比发送滤波器的通带小的频率范围，即包含所述干扰波的频率范围。

公开(公告)号：CN105191125A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480025569.1

申请日：2014-03-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 仲井刚 ,  岸野哲也 ,  下园雅久 ,  西村由里子

IPC: H03H9/72 ,  H03H9/145 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/76 ,  H03H9/0038 ,  H03H9/02755 ,  H03H9/542 ,  H03H9/6406 ,  H03H9/6483 ,  H03H9/6489 ,  H03H9/725 ,  H04B7/24 ,  H04L5/14

Abstract: 本发明提供一种分波器以及通信模块。分波器(1)具有：接收信号波以及干扰波的天线端子(3)；与天线端子(3)连接的发送滤波器(11)；与天线端子(3)连接并接收所述信号波的一部分，将比发送滤波器(11)的通带高的频率范围设为通带的接收滤波器(13)；和与天线端子(3)连接并且与接地连接，位置比发送滤波器(11)以及接收滤波器(13)更靠天线端子(3)侧的干扰波谐振器(15)。干扰波谐振器(15)在比发送滤波器(11)更靠天线端子(3)侧并且比接收滤波器(13)更靠天线端子(3)侧的位置与天线端子(3)连接。干扰波谐振器(15)的谐振频率是比发送滤波器的通带小的频率范围，即包含所述干扰波的频率范围。

公开(公告)号：CN110800213A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880043188.4

申请日：2018-07-05

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 笠松直史 ,  下园雅久 ,  岸野哲也 ,  南部雅树 ,  李红念 ,  堂本达也

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: 本公开的弹性波元件(1)具有压电基板(2)、和被配置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。所述IDT电极(3)具备包含Al的第一层(35)与包含CuAl2合金的第二层(37)的层叠构造。通过第二层(37)，能够提供耐电力性优异的弹性波元件(1)。

公开(公告)号：CN110800213B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201880043188.4

申请日：2018-07-05

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 笠松直史 ,  下园雅久 ,  岸野哲也 ,  南部雅树 ,  李红念 ,  堂本达也

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64

Abstract: 本公开的弹性波元件(1)具有压电基板(2)、和被配置在压电基板(2)上的IDT电极(3)。所述IDT电极(3)具备包含Al的第一层(35)与包含CuAl2合金的第二层(37)的层叠构造。通过第二层(37)，能够提供耐电力性优异的弹性波元件(1)。

公开(公告)号：CN103119847B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180046302.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  岸野哲也 ,  田中宏行 ,  小林京平 ,  山本显嗣 ,  下园雅久 ,  生田贵纪 ,  西村道明

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/6406

Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。