公开(公告)号：CN103119847A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180046302.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  岸野哲也 ,  田中宏行 ,  小林京平 ,  山本显嗣 ,  下园雅久 ,  生田贵纪 ,  西村道明

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/6406

Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。

公开(公告)号：CN103119847B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180046302.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西井润弥 ,  岸野哲也 ,  田中宏行 ,  小林京平 ,  山本显嗣 ,  下园雅久 ,  生田贵纪 ,  西村道明

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/14541 ,  H03H9/6406

Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。