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公开(公告)号：CN110470731A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910873433.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 小林京平
Abstract: 本发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100)，具备：元件基板(10a)；检测部(10b)，具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测，所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波，所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波；以及保护膜(28)，覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，在元件基板(10a)中，与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比，反应部(13)所位于的区域更低。
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公开(公告)号：CN110470731B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201910873433.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 小林京平
Abstract: 本发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100)，具备：元件基板(10a)；检测部(10b)，具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测，所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波，所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波；以及保护膜(28)，覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，在元件基板(10a)中，与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比，反应部(13)所位于的区域更低。
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公开(公告)号：CN103119847A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046302.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/14541 , H03H9/6406
Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。
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公开(公告)号：CN108885165A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021252.4
申请日：2017-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 应力传感器具备：膜片；中间层，被配置在膜片的面上；感应膜，被配置在中间层上；和压电电阻元件，位于膜片中与中间层的外缘接触的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105934667A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580006044.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 小林京平
Abstract: 本发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100)，具备：元件基板(10a)；检测部(10b)，具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测，所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波，所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波；以及保护膜(28)，覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，在元件基板(10a)中，与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比，反应部(13)所位于的区域更低。
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公开(公告)号：CN110234977A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201780066524.2
申请日：2017-10-24
Applicant: 国立研究开发法人物质材料研究机构 , 京瓷株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够通过相对简单的手法去除附着于气体传感器的成分、易于将气体传感器信号的基线复位到恒定状态的气体传感器装置和气体成分去除方法。本发明的一个实施方式的气体传感器装置具备气体传感器和洗涤机构，该洗涤机构包含用于洗涤气体传感器的液体，气体传感器包括：传感器主体，能够检测存在于气相中或液相中的成分的特性参数；以及感应膜，包覆于传感器主体的表面且对液体具有耐性。
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公开(公告)号：CN105934667B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580006044.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 小林京平
Abstract: 本发明涉及一种能够以良好的高灵敏度来测定检体的传感器装置。传感器装置(100)，具备：元件基板(10a)；检测部(10b)，具有位于元件基板(10a)的上表面的反应部(13)、第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，所述反应部(13)具有固定化膜(13a)并进行检体的检测，所述第一IDT电极(11)产生朝向反应部(13)传播的弹性波，所述第二IDT电极(12)接收通过了反应部(13)的弹性波；以及保护膜(28)，覆盖第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)，在元件基板(10a)中，与第一IDT电极(11)和第二IDT电极(12)所位于的区域相比，反应部(13)所位于的区域更低。
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公开(公告)号：CN103119847B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180046302.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H03H9/14541 , H03H9/6406
Abstract: SAW元件(1)具有：基板(3)；IDT电极(5)，其由Al或以Al为主要成分的合金构成，且配置在基板(3)的上表面(3a)上；第一膜(9)，其配置在IDT电极(5)的上表面上；保护层(11)，其以氧化硅为主要成分，覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分，且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。
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