公开(公告)号：CN110089031B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201880005203.6

申请日：2018-03-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉 ,  南部雅树 ,  永田优 ,  松冈俊树

IPC: H03H9/25

Abstract: SAW装置具有：压电基板；贴合于压电基板的下表面且热膨胀系数比压电基板小的支承基板；位于压电基板上的IDT电极；在IDT电极上形成有空间的盖体；以及在盖体上相互并列地延伸且俯视透视下至少一部分与空间重叠的多个带状导体。

公开(公告)号：CN118830196A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025552.5

申请日：2023-03-09

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

Abstract: 改善弹性波滤波器的频率特性。弹性波滤波器具有：作为倾斜谐振器的、串联谐振器和并联谐振器。在串联谐振器中，各虚设电极指的占空比比该串联谐振器中的各电极指交叉的第一交叉区域的至少一部分中的各电极指的占空比大，各电极指的根部处的占空比比该第一交叉区域的至少一部分中的各电极指的占空比大。在并联谐振器中，各虚设电极指的占空比相对于该并联谐振器中的各电极指交叉的第二交叉区域的至少一部分中的各电极指的占空比，在±0.08的范围内，各电极指的根部处的占空比相对于该第二交叉区域的至少一部分中的各电极指的占空比，在±0.08的范围内。

公开(公告)号：CN116137944A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202180060198.0

申请日：2021-07-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉 ,  菊地重之

IPC: H03H9/64

Abstract: 实现电气特性优异的弹性波元件。弹性波谐振器，具备：包括压电体以及IDT电极的压电基板、支撑基板和第一中间层。第一中间层中，金属元素的原子比率大于压电体中的金属元素的原子比率，且氧的原子比率小于压电体中的氧的原子比率。压电体的厚度为IDT电极的电极指的最大间距的5倍以下。

公开(公告)号：CN110089031A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201880005203.6

申请日：2018-03-20

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉 ,  南部雅树 ,  永田优 ,  松冈俊树

IPC: H03H9/25

Abstract: SAW装置具有：压电基板；贴合于压电基板的下表面且热膨胀系数比压电基板小的支承基板；位于压电基板上的IDT电极；在IDT电极上形成有空间的盖体；以及在盖体上相互并列地延伸且俯视透视下至少一部分与空间重叠的多个带状导体。

公开(公告)号：CN110999082B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880052284.5

申请日：2018-08-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉

IPC: H03H9/72 ,  H03H7/38 ,  H03H7/46

Abstract: 具备：天线端子(23)；第1滤波器(19A)和第2滤波器(19B)，与天线端子(34)连接，从天线端子(34)观察相互分支，且通带相互不同；独立电感器(53)，串联连接在从天线端子(23)观察第1滤波器(19A)的情况下从其他滤波器分支而单独构成的分支点(34w)之间；以及共用电感器(51)，位于天线端子(23)与分支点(34w)之间的位置和基准电位之间，并与滤波器(19)共用地并联连接。第1滤波器与其他滤波器相比通带的频率较高，在自己的滤波器的通带的中心频率中，从天线端子(23)观察第2滤波器(19B)侧时的电纳大于从所述天线端子观察第1滤波器(19A)侧时的电纳。

公开(公告)号：CN110999082A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880052284.5

申请日：2018-08-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村俊哉

IPC: H03H9/72 ,  H03H7/38 ,  H03H7/46

Abstract: 具备：天线端子(23)；第1滤波器(19A)和第2滤波器(19B)，与天线端子(34)连接，从天线端子(34)观察相互分支，且通带相互不同；独立电感器(53)，串联连接在从天线端子(23)观察第1滤波器(19A)的情况下从其他滤波器分支而单独构成的分支点(34w)之间；以及共用电感器(51)，位于天线端子(23)与分支点(34w)之间的位置和基准电位之间，并与滤波器(19)共用地并联连接。第1滤波器与其他滤波器相比通带的频率较高，在自己的滤波器的通带的中心频率中，从天线端子(23)观察第2滤波器(19B)侧时的电纳大于从所述天线端子观察第1滤波器(19A)侧时的电纳。