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公开(公告)号：CN119522541A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380053771.4
申请日：2023-07-21
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 西冈庸介 , 南部雅树 , 加藤敬 , 野添惣一朗
IPC: H03H9/145 , H03H3/08
Abstract: 由于IDT电极微细，因此需要提高对迁移的耐功率性。具有：压电体层；电极，设置在压电体层之上；和，覆盖部，覆盖电极的侧面的至少一部分，含有氧以及氮以外的构成压电体层的元素。
