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公开(公告)号：CN101964394B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200910055386.5
申请日：2009-07-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作相变存储单元相变单元的方法，包括：提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以及位于所述第一钝化层上的第二钝化层；在所述相变单元基底上形成粘附层；刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充开口的位置和所述金属层的位置对应；在所述粘附层及预填充开口上形成相变材料；依次去除所述第二钝化层上的所述相变材料和所述粘附层。可有效解决传统制作方法中存在的相变材料易从预填充开口中剥落的问题和引入新的存储单元结构导致相变材料加热机制改变以及相变材料污染的问题。
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公开(公告)号：CN101969099A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910055512.7
申请日：2009-07-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：在基底上在基底上沉积氮化钛薄膜；在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。还提供一种相变存储单元，包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮氧化钛。所述加热层与相变层的粘附性很好、且有利于降低相变存储单元的功耗。
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公开(公告)号：CN101964394A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055386.5
申请日：2009-07-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种制作相变存储单元相变单元的方法，包括：提供相变单元基底，所述相变单元基底包括第一钝化层、贯穿所述第一钝化层的金属层、以及位于所述第一钝化层上的第二钝化层；在所述相变单元基底上形成粘附层；刻蚀所述粘附层和所述第二钝化层至露出所述金属层，形成预填充开口，所述预填充开口的位置和所述金属层的位置对应；在所述粘附层及预填充开口上形成相变材料；依次去除所述第二钝化层上的所述相变材料和所述粘附层。可有效解决传统制作方法中存在的相变材料易从预填充开口中剥落的问题和引入新的存储单元结构导致相变材料加热机制改变以及相变材料污染的问题。
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公开(公告)号：CN101593765B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910053998.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。
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公开(公告)号：CN101593765A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910053998.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发挥各种性能不同存储模块的优势：对于速度要求较高的数据采用高速模块进行存储，对于长时间保存的数据采用较高数据保持能力的模块进行存储，对于经常读写的数据采用低功耗高疲劳特性的模块进行存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104003346A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201310058108.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜结构、压力传感器及电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的薄膜结构，包括至少两层层叠的主体结构层，以及位于相邻的所述主体结构层之间的层间过渡层；其中，所述主体结构层的材料为导电材料，所述层间过渡层的材料为非晶态化合物。本发明的压力传感器，其包括上述的薄膜结构。本发明的电子装置，包括上述的压力传感器。相对于现有技术，本发明的薄膜结构具有更好的应力性能，更好的表面平整度，以及更小的应变梯度。本发明的压力传感器，使用了该薄膜结构，具有更好的敏感度和可靠性。本发明的电子装置，由于使用了上述压力传感器，因而亦具有更好的灵敏度和可靠性。
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公开(公告)号：CN101330015A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710042461.5
申请日：2007-06-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/792 , C30B25/14 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45529 , H01L21/28282 , H01L29/1608 , H01L29/42348 , H01L29/792
Abstract: 一种原子层沉积方法，包括：第一前体气体流向原子层沉积室内的半导体衬底，形成离散的第一单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室内的半导体衬底；第二前体气体流向原子层沉积室，与形成第一单层的第一前体气体反应，形成离散的第一化合物单层；惰性吹扫气体流向在原子层沉积室；在半导体衬底上形成第一介电层，在第一介电层上形成离散的第二单层，并在第一介电层上形成覆盖第二单层的第二介电层。所述方法在半导体衬底上形成一层以上离散的化合物单层。本发明还提供一种半导体器件，器件的捕获电荷层为采用原子沉积方法形成的一层以上离散的化合物单层。
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公开(公告)号：CN101106104A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200610028769.X
申请日：2006-07-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8242
Abstract: 一种存储电容器的制造方法，包括：在具有器件层的半导体衬底上淀积绝缘层并刻蚀形成连接孔；在所述绝缘层上形成第一极板；对所述第一极板进行快速热退火氧化处理；在所述第一极板上形成介质层；在所述介质层上形成第二极板。该方法能够提高电容器两端依次施加不同极性电压时的一致性及防止制造过程中清洗对电容极板的损伤。
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公开(公告)号：CN104299904B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310298078.1
申请日：2013-07-16
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种闪存单元的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成纳米晶体硅颗粒；在所述隧穿氧化层和所述纳米晶体硅颗粒上形成隔离绝缘层；在所述隔离绝缘层上形成控制栅极；其中，在所述隧穿氧化层上形成纳米晶体硅颗粒包括：在所述隧穿氧化层上形成无定形硅层；在所述无定形硅层上进行多次籽晶颗粒形成工艺，并在相邻两次籽晶颗粒形成工艺之间进行表面退火处理，以及在进行最后一次籽晶颗粒形成工艺之后进行退火工艺。本发明闪存单元中能够存储电子的数量多，闪存单元的性能好。
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公开(公告)号：CN104103511A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310116110.X
申请日：2013-04-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L23/488 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法包括：步骤S101、提供包括浅沟槽隔离和层间介电层的半导体衬底，在半导体衬底的背面形成掩膜层；步骤S102、以第一刻蚀气体对半导体衬底未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，使刻蚀停止于浅沟槽隔离的上方；步骤S103、以第二刻蚀气体对半导体衬底未被掩膜层覆盖的区域继续进行刻蚀，去除半导体衬底未被掩膜层覆盖的部分，形成用于制造焊盘的沟槽。该方法通过将形成用于制造焊盘的沟槽的步骤分两步完成，形成了具有良好形貌且侧壁比较平缓的沟槽，提高了焊盘的电流传输能力。本发明的半导体器件，采用上述方法制得，保证了焊盘具有较高的电流传输能力。
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