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公开(公告)号：CN101969099A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910055512.7
申请日：2009-07-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：在基底上在基底上沉积氮化钛薄膜；在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。还提供一种相变存储单元，包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮氧化钛。所述加热层与相变层的粘附性很好、且有利于降低相变存储单元的功耗。
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公开(公告)号：CN102315386B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010228335.0
申请日：2010-07-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器存储单元的制作方法，该方法包括：在第一绝缘层中形成底电极后，依次沉积氮化硅层和低介电常数材料层；图案化低介电常数材料层与氮化硅层，形成孔洞，所述孔洞出露底电极的接触面，在所述孔洞内沉积第一相变材料；采用等离子轰击方法预清理所述第一相变材料至出露所述底电极接触面后，沉积第二相变材料填充孔洞；抛光所沉积的第二相变材料至孔洞表面，形成相变层；在相变层上形成顶电极，所述顶电极形成于第二绝缘层中。本发明提供的方法避免了预清理过程出现的局部放电现象，且使得最终制作的相变存储器存储单元不会损坏。
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公开(公告)号：CN102315386A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010228335.0
申请日：2010-07-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器存储单元的制作方法，该方法包括：在第一绝缘层中形成底电极后，依次沉积氮化硅层和低介电常数材料层；图案化低介电常数材料层与氮化硅层，形成孔洞，所述孔洞出露底电极的接触面，在所述孔洞内沉积第一相变材料；采用等离子轰击方法预清理所述第一相变材料至出露所述底电极接触面后，沉积第二相变材料填充孔洞；抛光所沉积的第二相变材料至孔洞表面，形成相变层；在相变层上形成顶电极，所述顶电极形成于第二绝缘层中。本发明提供的方法避免了预清理过程出现的局部放电现象，且使得最终制作的相变存储器存储单元不会损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996921A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910056730.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供了一种STI的形成方法，包括步骤：提供半导体基底；在半导体基底上利用原子层沉积的方法形成氮化物层；在所述氮化物层上形成硬掩膜层，所述氮化物层和硬掩膜层构成刻蚀阻挡层；对所述硬掩膜层、氮化物层以及半导体基底进行刻蚀，从而在硬掩膜层、氮化物层以及半导体基底内形成沟槽；沉积绝缘介质，所述绝缘介质覆盖所述沟槽的侧壁和底部以及硬掩膜层；对所述绝缘介质进行平坦化；去除所述氮化物层和硬掩膜层，该方法减小了刻蚀过程中的刻蚀阻挡层容易脱落的可能。
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公开(公告)号：CN101996921B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910056730.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供了一种STI的形成方法，包括步骤：提供半导体基底；在半导体基底上利用原子层沉积的方法形成氮化物层；在所述氮化物层上形成硬掩膜层，所述氮化物层和硬掩膜层构成刻蚀阻挡层；对所述硬掩膜层、氮化物层以及半导体基底进行刻蚀，从而在硬掩膜层、氮化物层以及半导体基底内形成沟槽；沉积绝缘介质，所述绝缘介质覆盖所述沟槽的侧壁和底部以及硬掩膜层；对所述绝缘介质进行平坦化；去除所述氮化物层和硬掩膜层，该方法减小了刻蚀过程中的刻蚀阻挡层容易脱落的可能。
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公开(公告)号：CN102412129A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201010292600.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种制作存储器的存储单元中顶电极的方法，该方法包括：提供一在第一绝缘层中的底电极，在第一绝缘层和该底电极上沉积介质层；在介质层上沉积第二绝缘层后，在第二绝缘层上形成金属层；采用光刻工艺和刻蚀工艺对金属层和第二绝缘层进行刻蚀，在金属层和第二绝缘层中形成接触孔；采用等离子体干法对金属层表面及接触孔底层表面进行预清理后，在金属层表面及接触孔内沉积顶电极材料，填充满接触孔；对顶电极材料抛光至第二绝缘层，所述抛光过程中抛光掉第二绝缘层表面上的金属层，形成顶电极。本发明提供的方法在制作存储单元中顶电极过程中，避免了第二绝缘层表面的放电损伤，提高最终得到的存储器良率。
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公开(公告)号：CN101347922A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200710043864.1
申请日：2007-07-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B29/00 , B24B55/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种研磨垫的清洗方法，涉及半导体制造领域的研磨工艺。该清洗方法使用高于常温的去离子水对研磨垫的研磨表面进行清洗，去除研磨表面的残留杂质。所述研磨表面是平滑的。相较现有技术的清洗方法，本发明的清洗方法更有效地去除结块等残留物，避免了在后续工序中对晶圆的被研磨表面造成刮伤。
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公开(公告)号：CN101399190A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710046799.8
申请日：2007-09-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8247 , B82B3/00
Abstract: 一种制作硅纳米点的方法，包括下列步骤，提供无定形硅；在所述无定形硅上形成籽晶；对所述无定形硅和籽晶退火形成硅纳米点；氧化所述硅纳米点形成氧化硅，以隔离相邻硅纳米点。本发明还公开了一种制作非易失性存储器的方法。所述制作硅纳米点的方法以及制作非易失性存储器的方法能够使得所形成的非易失性存储器中的硅纳米点的尺寸较小，并且隔离度较好，从而提高了非易失性存储器的存储性能。
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