公开(公告)号：CN102412129A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201010292600.1

申请日：2010-09-17

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 周真 ,  洪中山 ,  冯永刚 ,  杨伟俊

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明公开了一种制作存储器的存储单元中顶电极的方法，该方法包括：提供一在第一绝缘层中的底电极，在第一绝缘层和该底电极上沉积介质层；在介质层上沉积第二绝缘层后，在第二绝缘层上形成金属层；采用光刻工艺和刻蚀工艺对金属层和第二绝缘层进行刻蚀，在金属层和第二绝缘层中形成接触孔；采用等离子体干法对金属层表面及接触孔底层表面进行预清理后，在金属层表面及接触孔内沉积顶电极材料，填充满接触孔；对顶电极材料抛光至第二绝缘层，所述抛光过程中抛光掉第二绝缘层表面上的金属层，形成顶电极。本发明提供的方法在制作存储单元中顶电极过程中，避免了第二绝缘层表面的放电损伤，提高最终得到的存储器良率。

公开(公告)号：CN102376884B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201010267466.X

申请日：2010-08-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 林静 ,  钟旻 ,  杨伟俊 ,  向阳辉

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。

公开(公告)号：CN102376884A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201010267466.X

申请日：2010-08-24

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 林静 ,  钟旻 ,  杨伟俊 ,  向阳辉

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。