Patent search ap:("中芯国际集成电路制造(上海)有限公司" OR "中国科学院上海微系统与信息技术研究所") AND inv:"钟F" Page 1

1.

发明公开
相变存储单元和其加热层的制作方法无效

公开(公告)号：CN101969099A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910055512.7

申请日：2009-07-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王良咏 , 向阳辉 , 张复雄 , 钟F , 林静 , 冯永刚 , 宋志棠

IPC: H01L45/00 , G11C11/56

Abstract: 本发明提供了一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：在基底上在基底上沉积氮化钛薄膜；在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。还提供一种相变存储单元，包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮氧化钛。所述加热层与相变层的粘附性很好、且有利于降低相变存储单元的功耗。

Patent Agency Ranking