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公开(公告)号：CN102931054B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210299142.3
申请日：2012-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法，针对TiAl基金属化系统，该方法采用两步退火方式实现P型SiC材料低温欧姆接触，第一步退火为预退火，第二步退火为高温快速退火，其中：第一步预退火是通过预退火方式形成Al的合金体系，促进TiAl基欧姆接触金属与P型SiC的界面反应，形成界面过渡层；第二步高温快速退火是利用预退火过程中形成的界面反应催化剂，在低于常规快速退火温度下，实现Ti、Al与SiC的反应，形成低势垒、高载流子密度的碳化物或者硅化物过渡层。本发明提出的两步退火方法，可有效降低合金退火温度，也可以适用于其它半导体材料，尤其是宽禁带材料的欧姆接触领域。
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公开(公告)号：CN102931224A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210298644.4
申请日：2012-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构，该界面过渡层复合结构处于SiC衬底与金属层之间，包括富Al层和特定化学成分配比的碳化物混合层，其中，富Al层形成于SiC衬底之上，特定化学成分配比的碳化物混合层形成于富Al层之上，金属层形成于特定化学成分配比的碳化物混合层之上。本发明同时公开了一种制作界面过渡层复合结构的方法。利用本发明提出的界面过渡层复合结构，可有效调节接触势垒高度，提高接触层载流子浓度，增加载流子隧穿机率，有效实现P型SiC材料的良好欧姆接触，且本发明公开的界面过渡层复合结构制作方法简单、可重复性高。
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公开(公告)号：CN102931054A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210299142.3
申请日：2012-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种实现P型SiC材料低温欧姆合金退火的方法，针对TiAl基金属化系统，该方法采用两步退火方式实现P型SiC材料低温欧姆接触，第一步退火为预退火，第二步退火为高温快速退火，其中：第一步预退火是通过预退火方式形成Al的合金体系，促进TiAl基欧姆接触金属与P型SiC的界面反应，形成界面过渡层；第二步高温快速退火是利用预退火过程中形成的界面反应催化剂，在低于常规快速退火温度下，实现Ti、Al与SiC的反应，形成低势垒、高载流子密度的碳化物或者硅化物过渡层。本发明提出的两步退火方法，可有效降低合金退火温度，也可以适用于其它半导体材料，尤其是宽禁带材料的欧姆接触领域。
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公开(公告)号：CN119964629A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510045648.9
申请日：2025-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种SRAM芯片中存储单元的位置检测系统和位置检测方法，涉及半导体技术领域。位置检测系统包括：电动位移台、光学激发模块、微波激发模块、雪崩光电探测器、信号分析装置和控制模块；电动位移台用于放置待检测SRAM芯片，光学激发模块包括激光器、二向色镜、物镜和光纤探针；光纤探针的尖端设置有包含NV色心的金刚石颗粒；光纤探针用于对待检测SRAM芯片进行逐点扫描；微波激发模块用于施加微波信号；控制模块用于写入预设频率的方波信号；雪崩光电探测器用于转换得到电压信号；信号分析装置分析电压信号以确定目标存储单元的位置。该系统解决了现有技术中SRAM芯片中存储单元的侵入式检测、位置检测精度低和位置检测效率低的问题。
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公开(公告)号：CN119891971A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411898170.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种误差放大器，涉及集成电路设计领域，以解决现有技术中直流电源转换器输出电压的直流精度差的问题。误差放大器包括第一转向级电路、放大级电路、第二转向级电路以及输出级电路；将第一转向级电路与放大级电路连接，将放大级电路与第二转向级电路连接，以及将第二转向级电路与输出级电路连接；利用第一转向级电路、第二转向级电路及输出级电路调节输出级电路输出共模电压的共模电平，使得共模电压不受电源电压变化的影响，有效降低了误差放大器系统失调电压的漂移，提升了直流电源转换器输出电压的直流精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119806265A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411898355.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种无片外电容的快速瞬态响应LDO电路，涉及LDO技术领域。包括误差放大电路、classAB类超级源随电路以及有源电容器；且classAB类超级源随电路设置在误差放大电路与输出级之间；classAB类超级源随电路设置在误差放大电路与输出级之间，输出级为负载提供工作电流；classAB类超级源随电路可以提升输出功率管栅极摆率，加强瞬态响应速度；同时classAB类超级源随电路中至少包括瞬态响应增强模块，用于提供直接调节输出电压的路径，进一步加强瞬态响应速度。有源电容器在静态时功耗极低；瞬态时可提供瞬态大电流以减小输出过冲，使输出电压快速稳定。本发明采用有源电容器技术、高通滤波技术以及classAB超级源随器来实现快速瞬态响应，实现了单片集成的瞬态增强的LDO。
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公开(公告)号：CN119766204A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411640544.4
申请日：2024-11-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K3/3562 , H03K3/013 , H03K19/0948
Abstract: 本发明公开一种抵抗数字电路中单粒子翻转的锁存器及触发器，涉及数字集成电路设计技术领域，以解决现有技术中无法抵抗数字电路的锁存结构中多个节点发生单粒子翻转的问题。锁存器至少包括相互连接的基本锁存器、传输门及探测电路；所述锁存器利用所述探测电路的探测信号判断所述基本锁存器的电平翻转状态，并基于所述基本锁存器的电平翻转状态生成控制所述锁存器输出的控制信号；进一步可以利用多个上述结构的锁存器组成触发器；从而实现了锁存器及触发器在受到多节点单粒子轰击后能恢复到正确电平，提升了锁存器及触发器对单粒子辐射效应的抵抗能力。
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公开(公告)号：CN114577727B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210249155.3
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统及基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过在起偏器与第一物镜之间的光路上增加光束整形模块，将高斯光束的偏振基频光整形为平顶光束的偏振基频光，再经过第一物镜聚焦为符合测试要求的基频光，并将基频光入射到待检测样品。与现有技术中入射到晶圆表面的基频光为高斯光束的方式相比，本申请使入射到待检测样品表面的基频光的光斑内部光强均匀，从而使光斑内部可以均匀的产生二次谐波信号，进而提高二次谐波表征待检测样品缺陷的精度。
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公开(公告)号：CN112327584B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011185746.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法，包括以下步骤：在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光；然后对晶圆进行显影；控制晶圆旋转，并对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化，避免冲水过程中，晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
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公开(公告)号：CN119561540A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411605270.5
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K19/0185 , H03H7/06
Abstract: 本发明公开一种超低延时的自锁定噪声抑制电平移位电路，涉及智能功率驱动技术领域，以解决现有通过RC滤波电路滤除噪声时会增加延迟的问题。包括电连接的高压电平移位电路、共模噪声消除电路、差模噪声消除电路以及RS锁存器，共模噪声消除电路用于当存在共模噪声时，输送1/2VDD电压给RS锁存器的输入端，设计RS锁存器相对较低的阈值电压，使得1/2VDD电压对于RS锁存器来说为高电平，RS锁存器的状态保持不变，差模噪声消除电路用于当存在差模噪声时，通过电阻分压开启差模噪声消除电路，RS锁存器的输入端保持高电平。本发明提供的自锁定噪声抑制电平移位电路用于消除dV/dt噪声的共模噪声和差模噪声且具有更低的延迟。
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