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公开(公告)号：CN104882455A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510296105.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种集成微透镜阵列的背照式紫外焦平面探测器及微透镜阵列的制备方法。背照式紫外焦平面探测器由以下几个部分组成：紫外光敏元阵列芯片、读出电路、混成互连铟柱、微透镜阵列。微透镜阵列在紫外光敏元阵列芯片的宝石片衬底上采用光刻胶光刻、高温成型、等离子体刻蚀等步骤加工形成。本发明的优点是：集成微透镜阵列之后，紫外光敏元的面积可以大幅度减少，从而使紫外光敏元具有高的零偏压动态电阻R0和小的结电容，从而有利于减小读出电路的噪声以及提高紫外探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN101728450B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910225371.9
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该碲镉汞晶片双面精抛处理且长有阳极氧化膜，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。
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公开(公告)号：CN120041907A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510208605.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞电化学氧化液及其应用，碲镉汞电化学氧化液可用于碲镉汞表面的钝化。该氧化液的优点在于：氧化后的碲镉汞表面具有较少的表面电荷密度(Nf)，氧化后的碲镉汞有效少子寿命也更长。以中波碲镉汞材料(λc约低至5.4um)2.48为例×10，10使用该氧化液处理后的碲镉汞晶片cm‑2q‑1V‑1，总体上比常规氧化的碲镉汞表面电，其表面Nf可荷密度小一个数量级。碲镉汞有效少子寿命达到了1.2μs，比常规氧化处理的碲镉汞晶片平均有效少子寿命高约1倍。
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公开(公告)号：CN109148623A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810945383.8
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法，其结构为在双抛透明蓝宝石衬底上依次有缓冲层，非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层，n型Al0.45Ga0.55N层，倍增区非故意掺杂AlN层，p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层，吸收区p型Al0.45Ga0.55N层，p型GaN帽层；在p型GaN帽层与n型Al0.45Ga0.55N层上分别有p型与n型欧姆接触电极；一钝化层，覆盖在刻蚀到n型Al0.45Ga0.55N层的台面上，对刻蚀台面进行保护。该器件最大的优点是利用弱p型Al0.45Ga0.55N层作为吸收区，AlN作为倍增区，这能够有效降低AlGaN基雪崩二极管的过剩噪声，提高器件的信噪比，而且有助于提高器件的紫外抑制比。
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公开(公告)号：CN102376824B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101261998A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036256.2
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO2层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
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公开(公告)号：CN1426115A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02145468.X
申请日：2002-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器，包括：列阵芯片和读出电路，其特征在于：在列阵芯片和读出电路之间有一可吸收可见光的黑聚酰亚胺夹层。并同时公开了该探测器的制备方法，主要是黑聚酰亚胺夹层的制备方法。由于夹层采用黑聚酰亚胺层，当入射信号从探测器的背面入射时，夹层吸收可见光，以此来提高读出电路的工作性能。并且夹层不但可屏蔽可见光对硅读出电路的影响，还可以起到对读出电路、氮化镓基芯片和铟柱的钝化作用，因此，提高了紫外焦平面器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106449853A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893991.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN105514156A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610019752.1
申请日：2016-01-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/205 , H01L29/42356 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。
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公开(公告)号：CN102593233A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210073695.7
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本发明方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。
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