一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件

    公开(公告)号:CN116544294A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310027692.8

    申请日:2023-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件,其结构从下往上依次为三级半导体制冷器,环氧胶,锰钴镍氧热敏电阻,环氧胶,碲镉汞探测器;其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底,锰钴镍氧薄膜,以及热敏薄膜表面两侧的镉/金复合电极;其中碲镉汞探测器结构从下往上依次为蓝宝石衬底,环氧胶,碲镉汞功能材料,阳极氧化层,ZnS增透层,以及碲镉汞材料表面两侧的铟/金复合电极。该探测器组件不仅能够准确测得探测器温度的实时变化,而且有效解决了常规工艺中将热敏电阻贴附在探测器侧壁上带来的温度漂移问题,使得碲镉汞探测器的精确控温成为可能,极大缓解了高精度应用场景中对探测器控温精度的要求。

    一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法

    公开(公告)号:CN101226971A

    公开(公告)日:2008-07-23

    申请号:CN200810033428.0

    申请日:2008-02-01

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法。该方法是对离子注入后的碲镉汞样品进行光刻定义出氢离子处理区域,然后将样品置于氢离子氛围中进行处理;氢离子处理区域大小的确定是通过变面积方法来确定,自初始定义的离子注入区域大小开始逐渐扩大氢离子处理区域,对经过不同区域氢离子处理的碲镉汞样品进行电流-电压曲线测量,通过观察反向偏压下暗电流的增大现象来确定氢离子处理区域的大小。

    具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器

    公开(公告)号:CN101997052A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010276213.9

    申请日:2010-09-08

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种具有曲线延伸电极结构的碲镉汞红外线列探测器,其特征在于:该曲线延伸电极由内弧形结构区和电极延伸结构区组成,内弧形结构区和电极延伸结构区两者交界处为一个半椭圆曲线。采用该曲线延伸电极结构的碲镉汞芯片具有如下的优点:曲线延伸电极结构更加简单,延伸性更好,这种电极结构不仅可使用在大尺寸的光敏面器件上,而且可用于井伸电极所不能使用的小尺寸光敏面器件上;曲线延伸电极的电极可焊接区域面积更大,能够更加方便的进行电极引出操作;曲线延伸电极的电极引出可实行机械化操作,从而保证了焊点的一致性和稳定性,提高了产品的可靠性。

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