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公开(公告)号：CN119789615A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411961754.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种带有低温前置放大电路的碲镉汞探测器，在杜瓦冷头上依次有铟片、氮化铝陶瓷电路板、低温胶、碲镉汞探测器与铂电阻；氮化铝陶瓷电路板上有低温前置放大电路，该放大电路包含两个偏置支路，用来对探测器设置偏置电流，可外部选通的四个通道的反馈回路，用来设置放大增益，一个正反馈回路，用来调节强光照下输出信号的非线性，一串联电阻，用来抑制低温下放大电路振荡。本发明的探测器与前置放大电路贴近互联，工作在低温环境下，可有效降低耦合进入电路环路的电磁干扰；工作时置于金属杜瓦中，杜瓦的金属外壳对外界的电磁干扰可起到屏蔽作用，能进一步降低电磁干扰对放大电路的影响，有效提高整体信噪比。
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公开(公告)号：CN115747715B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211520071.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供一种支撑板、吸引体、掩膜块和掩膜版组件，属于红外探测器技术领域，其可至少部分解决现有的红外探测器窗口片金属化工艺中手工粘贴掩膜块导致的精度不准和效率低下的问题。本发明的一种支撑板具有第一开孔、第二开孔、第三开孔和凸台，凸台设于支撑板用于与定位板接触的表面上，且凸台用于与定位板开口卡合，用于掩膜块定位。
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公开(公告)号：CN118275845A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410418514.2
申请日：2024-04-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种变温变磁场变光强多功能载流子输运测试系统及测量方法。所述测试系统包括一电磁铁系统为测试样品提供电磁场；一可变温恒温器系统用于对测试样品控温；一激光器系统为测试样品提供光源；一少子寿命测量系统用于测试样品的少子寿命；一电学仪器和计算机系统用于测试过程的控制，保证测试的自动化，及后续的数据处理；一水冷机用于给制冷机、及电磁铁电源降温；一真空泵用于给可变温恒温器的腔体抽真空。本系统的优点在于可以直接观察激光辐照时光生载流子的行为，同时可以获得测试样品在变温条件下的少子寿命参数。
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公开(公告)号：CN115747715A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211520071.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供一种支撑板、吸引体、掩膜块和掩膜版组件，属于红外探测器技术领域，其可至少部分解决现有的红外探测器窗口片金属化工艺中手工粘贴掩膜块导致的精度不准和效率低下的问题。本发明的一种支撑板具有第一开孔、第二开孔、第三开孔和凸台，凸台设于支撑板用于与定位板接触的表面上，且凸台用于与定位板开口卡合，用于掩膜块定位。
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公开(公告)号：CN107978670A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711275340.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本发明有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102354714A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252229.0
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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公开(公告)号：CN109238475A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810945362.6
申请日：2018-08-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种有弯曲支撑腿微桥结构的锰钴镍氧热敏电阻探测器及方法，包括一双抛蓝宝石衬底；磁控溅射法生长的SiO2桥墩；一锰钴镍氧薄膜材料；制作成弯曲腿结构的欧姆接触电极。弯曲腿与锰钴镍材料下方的牺牲层释放后，形成自支撑的悬空结构。该结构不仅降低了光敏面与下方衬底之间直接的热传导，而且有效降低了电极与衬底之间的热传导，使得热敏探测器的响应率大大提高。
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公开(公告)号：CN106449853A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610893991.X
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种具有“亮”补偿元的自支撑热敏薄膜型红外探测器。器件结构包括：蓝宝石衬底；在衬底上制作矩形敏感元和补偿元，补偿元在敏感元任一侧，敏感元剖面呈倒凹形，与衬底之间有空气夹层，补偿元直接制作在衬底上；敏感元与补偿元矩形短边的内外两侧各制作电极端；敏感元与补偿元之间临近的电极连通形成公共电极，作为信号引出端。该结构使得热敏探测器的响应率大大提高；“亮”补偿元的设计不仅满足了对环境温度波动的补偿，而且有效降低了工艺制作难度。
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公开(公告)号：CN119767805A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411961686.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直型碲镉汞红外探测器及制作方法，垂直型碲镉汞红外探测器包括基板和设置于基板的上表面之上的具有阳极氧化层的碲镉汞材料层；碲镉汞材料层的下表面设置下电极，碲镉汞材料层的上表面设置上电极，基板的上表面设置有过渡电极层；其中过渡电极层与下电极通过铟柱阵列倒焊互连。本发明的垂直型碲镉汞光导器件结构，使得探测器内部的电场由水平分布改为垂直分布，大幅减小探测器电阻，在相同的偏置条件下可有效减小探测器的功耗。此外，垂直型碲镉汞探测器更容易偏置在恒压模式下，具有更好的响应线性度，对于傅里叶变换光谱仪应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116544294A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310027692.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/102 , H01L31/024 , H01L31/0296 , H01L31/02 , G05D23/24
Abstract: 本发明公开了一种可精确控温的垂直集成式制冷型碲镉汞探测器组件，其结构从下往上依次为三级半导体制冷器，环氧胶，锰钴镍氧热敏电阻，环氧胶，碲镉汞探测器；其中锰钴镍氧热敏电阻结构从下往上依次为蓝宝石衬底，锰钴镍氧薄膜，以及热敏薄膜表面两侧的镉/金复合电极；其中碲镉汞探测器结构从下往上依次为蓝宝石衬底，环氧胶，碲镉汞功能材料，阳极氧化层，ZnS增透层，以及碲镉汞材料表面两侧的铟/金复合电极。该探测器组件不仅能够准确测得探测器温度的实时变化，而且有效解决了常规工艺中将热敏电阻贴附在探测器侧壁上带来的温度漂移问题，使得碲镉汞探测器的精确控温成为可能，极大缓解了高精度应用场景中对探测器控温精度的要求。
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