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公开(公告)号：CN101527308A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN1937233A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610031016.4
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/09 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。
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公开(公告)号：CN107978670A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711275340.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本发明有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。
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公开(公告)号：CN100461435C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610031016.4
申请日：2006-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/82 , H01L31/09 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的抗反膜及制备方法，所述的抗反膜是置在光敏元列阵、信号引出电极区和公共电极区上的。置于光敏元列阵上的抗反膜是0.8-1.5微米厚的ZnS材料，置在信号引出电极区和公共电极区上的抗反膜是厚度在150～200的铟膜。所述制备方法的特征在于：在抗反膜铟膜形成后再对其进行氧等离子再处理，使铟膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的铟更为暗淡，反射系数达到此材料的低极限水平。本发明的优点是能最大限度接收入射光的信号，提高了器件的光电效率。本发明特别适合大面积电极区的器件，如带有井伸电极的碲镉汞红外光电导探测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101866974B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN101866974A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010182345.5
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本发明的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN101527308B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN201689901U
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201020202552.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种细长型的碲镉汞单元探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对光不产生响应。为了达到这个效果，电阻区与光敏区和电极区之间用负胶层和SiO2层作为复合绝缘介质，并在绝缘介质上生长金属铬金和金属金来作为阻挡层来阻挡光进入碲镉汞。本专利的优点是：探测器的电阻区不仅减小了探测器的电阻，而且对光没有响应。
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公开(公告)号：CN207676945U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721678741.0
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本专利有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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