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公开(公告)号：CN102271225A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110098321.6
申请日：2011-04-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H04N5/33
Abstract: 本发明公开了一种用于提高红外推扫成像系统灵敏度的成像方法，它是一种基于数字时间延迟积分的新型成像方法。该方法将红外二维面阵探测器用作线列推扫方式成像，一维作为串扫维，另一维作为推扫维。在推扫过程中串扫过同一景物的像元电压值由探测器内部的读出电路读出，到信息获取电路进行放大、量化后在FPGA内进行数字式累加并归一化，归一化的图像传输到存储介质中。在M阶的数字时间延迟积分红外系统中，当探测器内部噪声或信息获取电路噪声为主要噪声时，系统的信噪比与M1/2成正比；当背景光子噪声为主要噪声时，系统信噪比要优于M1/2。
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公开(公告)号：CN116314420A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310027641.5
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , G01K7/16 , G01K15/00 , H01L31/0392 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。
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公开(公告)号：CN102271225B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110098321.6
申请日：2011-04-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H04N5/33
Abstract: 本发明公开了一种用于提高红外推扫成像系统灵敏度的成像方法，它是一种基于数字时间延迟积分的新型成像方法。该方法将红外二维面阵探测器用作线列推扫方式成像，一维作为串扫维，另一维作为推扫维。在推扫过程中串扫过同一景物的像元电压值由探测器内部的读出电路读出，到信息获取电路进行放大、量化后在FPGA内进行数字式累加并归一化，归一化的图像传输到存储介质中。在M阶的数字时间延迟积分红外系统中，当探测器内部噪声或信息获取电路噪声为主要噪声时，系统的信噪比与M1/2成正比；当背景光子噪声为主要噪声时，系统信噪比要优于M1/2。
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公开(公告)号：CN119789615A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411961754.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种带有低温前置放大电路的碲镉汞探测器，在杜瓦冷头上依次有铟片、氮化铝陶瓷电路板、低温胶、碲镉汞探测器与铂电阻；氮化铝陶瓷电路板上有低温前置放大电路，该放大电路包含两个偏置支路，用来对探测器设置偏置电流，可外部选通的四个通道的反馈回路，用来设置放大增益，一个正反馈回路，用来调节强光照下输出信号的非线性，一串联电阻，用来抑制低温下放大电路振荡。本发明的探测器与前置放大电路贴近互联，工作在低温环境下，可有效降低耦合进入电路环路的电磁干扰；工作时置于金属杜瓦中，杜瓦的金属外壳对外界的电磁干扰可起到屏蔽作用，能进一步降低电磁干扰对放大电路的影响，有效提高整体信噪比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107978670A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711275340.5
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件及其制备方法，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本发明有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。
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公开(公告)号：CN102354714A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252229.0
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种具有双面反射层的碲镉汞红外光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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公开(公告)号：CN207676945U
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201721678741.0
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种可控制时间常数的锰钴镍热敏器件，其特征在于，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次有聚酰亚胺，环氧胶，锰钴镍，金电极。其中所述的蓝宝石衬底为双面抛光的蓝宝石，所述的聚酰亚胺为亚胺化的聚酰亚胺，厚度为1～40微米，所述的锰钴镍是通过环氧胶粘贴到聚酰亚胺上，其厚度为8～10微米，所述的金电极位于锰钴镍表面两端。本专利有以下几个优点：1、工艺简单，易实施。2、可以通过控制聚酰亚胺厚度来决定时间常数，可精准满足不同时间常数的应用需求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN202405296U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201120320592.7
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种具有双面反射层的碲镉汞光电导探测器的参考元，其结构为：在蓝宝石衬底上依次为下反射层，下绝缘层，碲镉汞光导器件层，上绝缘层A，上绝缘层B，铬层，上反射层。该参考元特征在于：蓝宝石衬底与碲镉汞光导器件层之间生长一层钛反射层和二氧化硅绝缘层，器件光敏面上生长一层铬金反射层以及负胶和二氧化硅绝缘层。其优点在于解决了器件背面与表侧面漏光产生响应的问题。
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公开(公告)号：CN219303681U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202320053069.5
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/103 , H01L31/0392 , H01L31/0216 , G01K7/16 , G01K15/00
Abstract: 本专利公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。
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