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公开(公告)号：CN117850118A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410022322.X
申请日：2024-01-08
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种高容差集成可调硅光谐振器及其制备方法，所述硅光谐振器由多模干涉耦合器(1)、第一热移相器(2)、第二热移相器(3)、跑道型波导(4)和模式转换器(5)组成；所述多模干涉耦合器(1)和第一热移相器(2)组成马赫曾德尔型光开关。本发明具有工艺容差高、耐高光功率、损耗低、波长不敏感、偏振不敏感等优势，本发明中的马赫曾德尔型光开关取代定向耦合器用于耦合，受工艺误差影响小、带宽大，且可以通过调节热移相器调节耦合状态，让谐振器的临界耦合、欠耦合、定向耦合三个状态可调；通过调节可以改变谐振波长，从而调节滤波波长。同时，本发明在极端欠耦合情况下可以用作大带宽范围，连续可调光延时线。
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公开(公告)号：CN113805398A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111071403.1
申请日：2021-09-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种氮化硅宽带光开关，包括第一3dB非对称绝热耦合器、第二3dB非对称绝热耦合器、干涉臂波导、参考臂波导和热移相器；第一3dB非对称绝热耦合器和第二3dB非对称绝热耦合器结构相同，均包括依次连接的第一波导部分、耦合区域部分和第二波导部分，第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端通过干涉臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端相连，第一3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第二端通过参考臂波导与第二3dB非对称绝热耦合器的第二波导部分的第一端相连；干涉臂波导和参考臂波导为等长的氮化硅波导，干涉臂波导上设置有热移相器。本发明解决了氮化硅波导无法集成可调光衰减器等有源器件弥补开光消光比的问题。
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公开(公告)号：CN117608358A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311491009.2
申请日：2023-11-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G06F1/02
摘要： 本发明涉及一种可重构片上任意波形生成器及其制备方法，其中，可重构片上任意波形生成器包括：n个延时单元和波形合成器；所述n个延时单元依次连接；所述延时单元包括光开关、延时结构和可调光衰减器；所述光开关与所述延时结构依次连接；所述延时结构包括两条不同长度的延时路径；所述光开关用于调节所述延时路径的切换实现延时量的调节；所述可调光衰减器设置在每条延时路径上，用于抑制串扰弥补消光比和调节每个延时量对应的光强度；所述波形合成器用于对不同延时量对应的波形相加得到多个互不重叠的波形，并取多个互不重叠的波形的包络面生成指定形状的波形。本发明具有高带宽、低噪声、低耗能、低成本的特点。
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公开(公告)号：CN117589300A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311490775.7
申请日：2023-11-10
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种可见光片上光谱仪及其制备方法，其中，片上光谱仪包括：输入耦合器，用于导入可见光；分光器组，输入端与所述输入耦合器的输出端耦合，共有2n个输出端，用于将所述可见光分为2n束；随机波导阵列，由2n个随机波导构成，2n个随机波导的输入端分别与所述分光器的2n个输出端耦合，2n个随机波导的输出端均集成有一个光电探测器；控制器，用于控制所述随机波导的通断形成不同的随机波导采样矩阵，并通过算法重构所述可见光的光谱。
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公开(公告)号：CN113189706B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110371170.0
申请日：2021-04-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种集成可调硅光延时单元及延时线，其中，延时单元包括依次相连的光开关、延时结构和可调光衰减器；光开关包括多模干涉输入器和多模干涉输出器，多模干涉输入器与多模干涉输出器通过两段厚膜深刻蚀的硅光波导分别连接，两段厚膜深刻蚀的硅光波导中有一段的上方设置有氮化物电极；延时结构包括两条不同长度的延时路径，延时路径为厚膜深刻蚀的硅光波导；可调光衰减器集成在每条延时路径后通过自由载流子吸收机制实现非开关切换路径的光衰减；多模干涉输入器、多模干涉输出器和可调光衰减器均采用厚膜深刻蚀。本发明能够满足低损耗、大范围可调延时、高精度、高集成度等需求。
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公开(公告)号：CN113189706A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110371170.0
申请日：2021-04-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种集成可调硅光延时单元及延时线，其中，延时单元包括依次相连的光开关、延时结构和可调光衰减器；光开关包括多模干涉输入器和多模干涉输出器，多模干涉输入器与多模干涉输出器通过两段厚膜深刻蚀的硅光波导分别连接，两段厚膜深刻蚀的硅光波导中有一段的上方设置有氮化物电极；延时结构包括两条不同长度的延时路径，延时路径为厚膜深刻蚀的硅光波导；可调光衰减器集成在每条延时路径后通过自由载流子吸收机制实现非开关切换路径的光衰减；多模干涉输入器、多模干涉输出器和可调光衰减器均采用厚膜深刻蚀。本发明能够满足低损耗、大范围可调延时、高精度、高集成度等需求。
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公开(公告)号：CN111381074A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811642875.6
申请日：2018-12-29
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01Q60/16
摘要： 本发明提供一种扫描隧道显微镜针尖传递托，针尖传递托包括：第一单元，第一单元包括第一表面及第二表面；第一单元的传递方式包括水平传递；底座，底座位于第一表面上，并与第一单元相连接，底座包括第一通孔及第二通孔，第一通孔的直径大于第二通孔的直径，且第一通孔与第二通孔的中心线重合，从而在第一通孔及第二通孔之间形成限位台阶面；弹性部件；弹性部件包括顶部、底部及弹性固定部；其中，顶部与限位台阶面相接触，底部与第一表面相接触，弹性固定部的水平截面距离小于第二通孔的直径；扫描隧道显微镜针尖托通过所述弹性固定部固定。可实现针尖在超高真空联合系统中的传递、原位处理及更换等操作，避免大气下杂质污染。
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公开(公告)号：CN111379021A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811637662.4
申请日：2018-12-29
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： C30B25/12 , H01J37/20 , G01N23/2204 , G01N23/2202
摘要： 本发明提供一种样品托，样品托包括：第一单元，第一单元包括第一表面及与第一表面相对的第二表面，第一单元包括贯穿第一表面及第二表面的第一通孔；第一单元的传递方式包括水平传递；固定单元，固定单元位于第一单元的第一表面上，并与第一单元相连接，固定单元包括第二通孔，第二通孔与第一通孔相贯通；第二单元，第二单元包括样品部、固定部及连接部；其中，样品部用以承载样品，固定部与所述固定单元相连接；第二单元的传递方式包括垂直传递。本发明通过样品托可实现样品在大型互联真空系统中的传递操作，包括水平传递及垂直传递，保证样品在超高真空互联系统中的原位生长和原位多重表征测试，避免大气下杂质污染等问题。
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公开(公告)号：CN110004488B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910329382.5
申请日：2019-04-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
摘要： 本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5×10‑10～1.5×10‑9毫巴，加热温度为1050～1150K；S3：将单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，使用蒸发源向单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热，即得。该制备方法具有工艺过程简单，可控性好等优点，该石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结因石墨烯电子态呈半导体特性，因此可制备成半导体器件。
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公开(公告)号：CN110004488A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329382.5
申请日：2019-04-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
摘要： 本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5×10-10～1.5×10-9毫巴，加热温度为1050～1150K；S3：将单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，使用蒸发源向单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热，即得。该制备方法具有工艺过程简单，可控性好等优点，该石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结因石墨烯电子态呈半导体特性，因此可制备成半导体器件。
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