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公开(公告)号：CN113189706B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110371170.0
申请日：2021-04-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种集成可调硅光延时单元及延时线，其中，延时单元包括依次相连的光开关、延时结构和可调光衰减器；光开关包括多模干涉输入器和多模干涉输出器，多模干涉输入器与多模干涉输出器通过两段厚膜深刻蚀的硅光波导分别连接，两段厚膜深刻蚀的硅光波导中有一段的上方设置有氮化物电极；延时结构包括两条不同长度的延时路径，延时路径为厚膜深刻蚀的硅光波导；可调光衰减器集成在每条延时路径后通过自由载流子吸收机制实现非开关切换路径的光衰减；多模干涉输入器、多模干涉输出器和可调光衰减器均采用厚膜深刻蚀。本发明能够满足低损耗、大范围可调延时、高精度、高集成度等需求。
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公开(公告)号：CN113189706A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110371170.0
申请日：2021-04-07
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种集成可调硅光延时单元及延时线，其中，延时单元包括依次相连的光开关、延时结构和可调光衰减器；光开关包括多模干涉输入器和多模干涉输出器，多模干涉输入器与多模干涉输出器通过两段厚膜深刻蚀的硅光波导分别连接，两段厚膜深刻蚀的硅光波导中有一段的上方设置有氮化物电极；延时结构包括两条不同长度的延时路径，延时路径为厚膜深刻蚀的硅光波导；可调光衰减器集成在每条延时路径后通过自由载流子吸收机制实现非开关切换路径的光衰减；多模干涉输入器、多模干涉输出器和可调光衰减器均采用厚膜深刻蚀。本发明能够满足低损耗、大范围可调延时、高精度、高集成度等需求。
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公开(公告)号：CN114927595A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210321603.6
申请日：2022-03-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18 , G01D5/30 , G01D5/34
摘要： 本发明涉及一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器，其特征在于，自下而上包括衬底硅层、氧化硅埋氧层、硅平板波导；所述硅平板波导上方并排设有第一金属电极、锗波导及第二金属电极；其中所述硅平板波导的一侧设有输入波导。本发明打破了传统波导型探测器输入模式为基模的局限，实现了对输入模式不敏感的探测器。
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公开(公告)号：CN115693389A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211245081.2
申请日：2022-10-12
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构，包括硅衬底，所述硅衬底上设有激光器安装区，所述激光器安装区的一侧且在硅衬底上设置有埋氧层，所述埋氧层上设置有浅刻蚀区，所述埋氧层和浅刻蚀区形成的截面刻蚀有斜切端面，所述斜切端面用于减小反射损耗，所述浅刻蚀区上设置有面对激光器安装区的脊波导，所述脊波导的入射端位于斜切端面处。本发明可以实现较高的耦合效率与对准容差。
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