公开(公告)号：CN115799983A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211671448.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武爱民 ,  刘晨阳 ,  冯大增

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/065

Abstract: 本发明涉及一种基于光放大器和硅光微腔的激光器，包括：衬底；反射型半导体光学放大器，置于所述衬底上，并在光输入侧镀有抗反射膜，在所述光输入侧的对侧镀有高反射膜；基于亚微米SOI平台的光学微腔，置于所述衬底上，并与所述反射型半导体光学放大器进行倒装焊耦合。本发明能够提高器件集成度，降低耦合损耗与封装成本。

公开(公告)号：CN117850118A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410022322.X

申请日：2024-01-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武爱民 ,  李昂 ,  仇超 ,  刘晨阳

IPC: G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明涉及一种高容差集成可调硅光谐振器及其制备方法，所述硅光谐振器由多模干涉耦合器(1)、第一热移相器(2)、第二热移相器(3)、跑道型波导(4)和模式转换器(5)组成；所述多模干涉耦合器(1)和第一热移相器(2)组成马赫曾德尔型光开关。本发明具有工艺容差高、耐高光功率、损耗低、波长不敏感、偏振不敏感等优势，本发明中的马赫曾德尔型光开关取代定向耦合器用于耦合，受工艺误差影响小、带宽大，且可以通过调节热移相器调节耦合状态，让谐振器的临界耦合、欠耦合、定向耦合三个状态可调；通过调节可以改变谐振波长，从而调节滤波波长。同时，本发明在极端欠耦合情况下可以用作大带宽范围，连续可调光延时线。