公开(公告)号：CN110004488B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910329382.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 李昂 ,  崔奋为 ,  朱海龙 ,  黄本锐 ,  马妮

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C23C14/30 ,  C23C14/14 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5×10‑10～1.5×10‑9毫巴，加热温度为1050～1150K；S3：将单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，使用蒸发源向单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热，即得。该制备方法具有工艺过程简单，可控性好等优点，该石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结因石墨烯电子态呈半导体特性，因此可制备成半导体器件。

公开(公告)号：CN110004488A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910329382.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 李昂 ,  崔奋为 ,  朱海龙 ,  黄本锐 ,  马妮

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C23C14/30 ,  C23C14/14 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5×10-10～1.5×10-9毫巴，加热温度为1050～1150K；S3：将单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，使用蒸发源向单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热，即得。该制备方法具有工艺过程简单，可控性好等优点，该石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结因石墨烯电子态呈半导体特性，因此可制备成半导体器件。