水浸式超声扫描显微镜样品传送装置及控制方法

    公开(公告)号:CN116399957A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310193393.1

    申请日:2023-03-02

    Abstract: 本申请适用于集成电路测试设备和仪器技术领域,提供了水浸式超声扫描显微镜样品传送装置及控制方法,该装置包括:承片台、滑车、导轨、导轨支架、推拉驱动机构、液体槽和底板;底板设置在液体槽的底壁上,导轨支架设置于底板上,导轨设置于导轨支架上,滑车设置于导轨上,承片台设置于滑车上;导轨的两端的高度不同,且导轨较低的一端低于预设高度,预设高度为盛放在液体槽中液体的液面高度;推拉驱动机构设置于液体槽的底板上,且与滑车连接,推拉驱动机构能够控制滑车在导轨的两端之间移动。本申请提高了晶圆检测完成后更换晶圆过程的效率,使更换过程更加快速平稳。

    非完整环面轮廓度误差确定方法、装置及终端设备

    公开(公告)号:CN115218854A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210741742.4

    申请日:2022-06-27

    Abstract: 本申请适用于面轮廓度误差评定技术领域,提供了一种非完整环面轮廓度误差确定方法、装置及终端设备。该方法包括:获取待测零件的测量环面与理想环面,测量环面包括待测零件的实测点,理想环面包括理想环面参数;根据坐标变换参数对实测点进行坐标变换处理得到测点;将理想环面等弧长细分,确定测点在理想环面上最近的对应点,在该对应点位于理想环面的边缘区域和非边缘区域时,采用不同算法计算测点到理想环面的最小距离;根据最小距离构建基于坐标变换参数和理想环面参数的环面轮廓度误差函数作为目标函数,基于差分进化算法对目标函数求解,确定环面轮廓度误差。本申请能够准确计算具有非完整环面结构的工业零件的环面轮廓度误差。

    防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法

    公开(公告)号:CN114864369A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210347987.9

    申请日:2022-04-01

    Abstract: 本发明涉及半导体加工工艺技术领域,尤其涉及一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法,本发明防护晶圆片刻蚀损伤的装置包括有屏蔽环以及陶瓷环,屏蔽环上表面楔面设计,降低了反射功率以及刻蚀均匀性的影响。在屏蔽环的侧面设有孔,避免晶圆片表面光刻胶因热量不及时散出导致的变形、开裂或者褶皱。通过适配陶瓷环与晶圆片的高度,使得在屏蔽环与晶圆片之间存有宽度合理的间隙,以保证较佳的防护效果。在陶瓷环上设有凹槽,通过凹槽限位屏蔽环,防止屏蔽环在陶瓷环上发生移动,影响保护效果。本发明防护晶圆片刻蚀损伤的方法仅在晶圆片加工时随晶圆片一起进出反应腔体,大大降低长期置于腔体内的保护装置的材料和结构对设备、工艺的影响。

    用于芯片封装的半自动金带点焊机

    公开(公告)号:CN118143410A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410374547.1

    申请日:2024-03-29

    Abstract: 本发明提供了一种用于芯片封装的半自动金带点焊机,属于半导体的相关制造领域,本发明具体包括支架、焊头、线夹和控制部;焊头的长度方向平行于上下方向,并沿上下方向可移动地设于支架,线夹与焊头连接,用于夹取金带,控制部包括安装组件和控制组件,安装盒固设于支架,连接杆沿上下方向可移动地插设于安装盒顶部,弹簧设于连接杆外周,并被配置为具有使连接杆远离安装盒的预紧力,控制组件包括控制杆、第一铰接轴和按钮,控制杆通过第一铰接轴与支架铰接,并用于驱动连接杆上下移动,按钮用于控制线夹开启或者闭合。本发明提供的用于芯片封装的半自动金带点焊机,解决现有的封装设备生产效率不足和加工精度不够高的技术问题。

    晶圆贴膜微孔自动加工装置及晶圆贴膜排气方法

    公开(公告)号:CN118046442A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410032232.9

    申请日:2024-01-09

    Abstract: 本发明提供了一种晶圆贴膜微孔自动加工装置和排气方法,属于半导体领域,装置包括主体支架、微孔加工单元、薄膜放料单元以及薄膜收卷单元,主体支架设置有微孔加工平台;微孔加工单元设置于主体支架上且位于微孔加工平台的上方;微孔加工单元包括直线执行元件、与直线执行元件的执行杆相连的针盘以及固设于针盘上的钢针;微孔加工单元将经过微孔加工平台的薄膜进行微孔加工;薄膜放料单元用于放置薄膜卷,薄膜放料单元设置于主体支架的一侧;薄膜收卷单元与薄膜放料单元分设在微孔加工平台的两侧,用于将经过微孔加工的薄膜缠绕成卷。在贴膜之前,先将薄膜加工成带有微孔的薄膜,贴膜后不会产生气泡,保证晶圆片的降温效果及刻蚀的均匀性。

    一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置、方法和刻蚀装置

    公开(公告)号:CN114864468A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210343293.8

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本发明涉及半导体深硅刻蚀技术领域,公开了一种用于降低刻蚀工艺掉片率的方法、装置和刻蚀装置,用于降低刻蚀工艺掉片率的装置包括通气控制器和陶瓷遮挡盘;通气控制器一端用于连接进气管道,另一端用于连接刻蚀设备的通气管路,陶瓷遮挡盘设置于刻蚀设备的下电极基座上;通气控制器用于在刻蚀完成后,向刻蚀设备内通入气体,使晶圆片浮起和下落,以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应;陶瓷遮挡盘用于限制晶圆片浮起过程中晶圆片的移动范围。本发明提供的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置,通过陶瓷遮挡盘和通气控制器的共同使用,消除了刻蚀工艺完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应,解决了现有刻蚀工艺中晶圆片掉片率高的问题。

    非完整环面轮廓度误差确定方法、装置及终端设备

    公开(公告)号:CN115218854B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202210741742.4

    申请日:2022-06-27

    Abstract: 本申请适用于面轮廓度误差评定技术领域,提供了一种非完整环面轮廓度误差确定方法、装置及终端设备。该方法包括:获取待测零件的测量环面与理想环面,测量环面包括待测零件的实测点,理想环面包括理想环面参数;根据坐标变换参数对实测点进行坐标变换处理得到测点;将理想环面等弧长细分,确定测点在理想环面上最近的对应点,在该对应点位于理想环面的边缘区域和非边缘区域时,采用不同算法计算测点到理想环面的最小距离;根据最小距离构建基于坐标变换参数和理想环面参数的环面轮廓度误差函数作为目标函数,基于差分进化算法对目标函数求解,确定环面轮廓度误差。本申请能够准确计算具有非完整环面结构的工业零件的环面轮廓度误差。

    回转体零件轮廓度误差计算方法及电子设备

    公开(公告)号:CN115758599A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211248121.9

    申请日:2022-10-12

    Abstract: 本发明提供一种回转体零件轮廓度误差计算方法及电子设备。该方法包括:对回转体零件中回转面上的每个测量点进行坐标变换处理,得到每个测量点的第一坐标;建立理想回转面模型,并对理想回转面模型进行区域划分,得到标准区域和逼近区域;当测量点处于标准区域时,根据标准区域内理想回转面的几何性质,计算该测量点到标准区域内的理想回转面的最小距离;当测量点处于逼近区域时,根据测量点的第一坐标,分别计算该测量点到各个细分面的第一距离,将第一距离中的最小值确定为该测量点到该逼近区域内的理想回转面的最小距离;基于最小距离,确定回转体零件的回转面轮廓度误差。本发明能够可以准确计算回转体零件中复合回转面的回转面轮廓度误差。

    基于稳态T型等效电路的感应电机参数辨识方法和装置

    公开(公告)号:CN115296574A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210981529.0

    申请日:2022-08-15

    Abstract: 本申请适用于感应电机参数辨识技术领域,提供了基于稳态T型等效电路的感应电机参数辨识方法和装置,该方法包括:获取电机系统的数据参数,建立稳态T型等效电路,得到电机系统的理论阻抗,数据参数包括:电压值、电流值、定子电阻、转子电阻、励磁电感、定子漏感、转子漏感、输入相电压的角频率、转速和转差率中的至少部分参数;对电压值、电流值和转速进行快速傅里叶变换,得到第一处理信息;基于第一处理信息计算得到电机系统的实测阻抗;基于理论阻抗、实测阻抗和量子粒子群算法,得到电机辨识参数。本申请中的参数辨识方法与已有方法相比,收敛过程更快,不容易陷入局部最优点,能够实现更准确的参数估计精度,同时能够实现电机参数的在线实时辨识。

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