功率器件封装装置及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114334846A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111667542.0

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 本申请提供了一种功率器件封装装置及方法,涉及电子的技术领域。功率器件封装装置包括:第二金属绝缘基板和第一金属绝缘基板中的至少一个具有金属绝缘焊坝,以用于第一金属绝缘基板与第二金属绝缘基板连接时形成对芯片的封装;互联线路主体对应与第一金属绝缘基板,和/或第二金属绝缘基板一体化连接,金属柱体的至少一部分的结构被配置于第一金属绝缘基板的内部或第二金属绝缘基板的内部,且互联线路主体与芯片连接。将第二金属绝缘基板与第一金属绝缘基板配合替代传统塑封作为芯片封装的外壳,能够提高其散热能力,且通过互联线路主体将芯片与外部电路导通,提高了抗跌落能力和抗翘曲能力的同时,也能减小封装装置的尺寸。

    一种芯片的加工方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110211876B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201910351680.4

    申请日:2019-04-28

    Abstract: 本申请提供了一种芯片的加工方法,涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法,通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后,可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度,通过这样的物理减薄,避免先减薄后焊接的操作流程中,重新焊接芯片带来的芯片变形等情况,同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子,也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试,降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。

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