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公开(公告)号:CN117169260A
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202311143966.6
申请日:2023-09-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32
Abstract: 本申请提供一种有铅合金的EBSD样品制备方法、装置、电子设备和存储介质,其中,有铅合金的EBSD样品制备方法包括控制自动研磨机对切片样品进行研磨和抛光等步骤,其中,切片样品基于有铅合金制成,自动研磨机的样品重量调整范围为0‑600克,切片样品在研磨和抛光过程中的增量为100克,自动研磨机的材料去除率为1微米,自动研磨机的研磨方式为摆动研磨,自动研磨机的抛光方式为变速旋转抛光、振荡抛光和负荷控制抛光。本申请能够实现有铅合金的EBSD样品的自动制备,与现有技术相比,本申请具有研磨力度均匀、磨削厚度可控和能够适应材料之间的软硬差别等优点,进而能够提高切片样本的研磨精度,从而得到符合要求的EBSD样品。
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公开(公告)号:CN113921424A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202111157474.3
申请日:2021-09-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请提供一种陶瓷封装芯片去层制样方法,该方法包括:通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开,所述目标芯片通过陶瓷封装;利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封,得到包封环氧胶的样品;将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化,得到烘烤硬化后的样品;切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体,得到切割后的样品,所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶;对所述研磨后的样品进行抛光,得到去层后的芯片等步骤。本申请能够对陶瓷封装芯片进行去层处理,以露出陶瓷封装芯片内的电路结构,并避免破坏所述陶瓷封装芯片内的电路结构。
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公开(公告)号:CN117744334A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311628155.5
申请日:2023-11-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G01N3/32 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种柔性电路板弯折寿命风险识别及寿命智能预计方法、装置、智能分析系统和智能分析器,其中,所述柔性电路板弯折寿命风险评价和智能预计方法包括:测试所述待测柔性电路板在目标弯折场景下的应变分布及最大应变峰值;基于目标弯折场景下的应变特征进行不同加速水平的弯折寿命极限摸底试验、应变特征数据分析并建立修正后的S‑N寿命曲线;计算所述待测柔性电路板在目标弯折场景下的弯折寿命次数等步骤。本申请能够基于待测柔性电路板在目标弯折场景下的应变分布及最大应变峰值,输出柔性电路板上的寿命分布云图,快速自动化智能预计待测柔性电路板在目标使用场景下的弯折寿命分布及寿命短板位置。
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