陶瓷封装芯片去层制样方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113921424A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111157474.3

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本申请提供一种陶瓷封装芯片去层制样方法,该方法包括:通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开,所述目标芯片通过陶瓷封装;利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封,得到包封环氧胶的样品;将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化,得到烘烤硬化后的样品;切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体,得到切割后的样品,所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶;对所述研磨后的样品进行抛光,得到去层后的芯片等步骤。本申请能够对陶瓷封装芯片进行去层处理,以露出陶瓷封装芯片内的电路结构,并避免破坏所述陶瓷封装芯片内的电路结构。

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