半导体器件的多层铜线路检测方法

    公开(公告)号:CN115900554A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211092367.1

    申请日:2022-09-08

    Abstract: 本申请提供一种半导体器件的多层铜线路检测方法,该方法包括对待分析半导体器件的金属盖进行处理,以去除待分析半导体器件的金属盖;基于切片机对去金属盖的待分析半导体器件进行切割处理;基于暴露的第一层线路的图像检测第一层线路的宽度和长度;对待分析半导体器件进行抛光,直至待分析半导体器件的第二层线路暴露;基于蚀刻液对待分析半导体器件进行蚀刻处理,以去除铜延展部分;第二层线路的图像对第二层线路的宽度和长度进行检测;测待分析半导体器的所有线路层的宽度和长度。本申请能够检测半导体多层线路的宽度和长度,同时能够克服铜延展对线路的宽度和长度检测的影响,从而能够提高线路的宽度和长度的检测精度。

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