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公开(公告)号：CN117917758A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311318777.8
申请日：2023-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和流体加热装置。本发明提供一种能够降低处理流体的温度偏差的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置为通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基板；多个配管，该多个配管使所述处理流体在其与所述处理容器之间流通；第1流体加热装置，其对所述多个配管中的向所述处理容器的内部供给所述处理流体的配管进行加热；以及第2流体加热装置，其对所述多个配管中的自所述处理容器的内部排出所述处理流体的配管进行加热。
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公开(公告)号：CN102314093A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110184492.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F7/70291 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供能够提高在基板面内的显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性、并对布线图案的线宽以及间距的偏差进行抑制的局部曝光装置和局部曝光方法。局部曝光装置包括：基板输送部件；腔室，其用于形成对被处理基板进行曝光处理的空间；光源，其具有沿与基板输送方向交叉的方向线状排列的多个发光元件，能够利用发光元件的发光对在下方输送的被处理基板上的感光膜照射光；发光驱动部，能够将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单元而选择性地进行发光驱动；基板检测部件，其对被基板输送部件输送的被处理基板进行检测；控制部，其被供给基板检测部件的基板检测信号，并且控制由发光驱动部进行的发光元件的驱动。
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公开(公告)号：CN102681356B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210069291.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；关于所确定的上述一个发光体(GR)，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由该其它发光体的发光引起的干涉光的照度，将所算出的该值设为校正后的设定照度；以及根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
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公开(公告)号：CN118366889A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410034476.0
申请日：2024-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的维护方法，能够顺利地进行干燥单元的维护。基板处理装置具备干燥单元和控制装置，该干燥单元将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥。所述干燥单元具有壁板、电磁锁、压力传感器以及浓度传感器，所述壁板将内部空间与外部空间隔开，所述电磁锁在锁定状态与解锁状态之间切换，所述锁定状态是将所述壁板固定于限制从所述外部空间向所述内部空间的访问的位置的状态，所述解锁状态是允许所述壁板移动的状态。所述控制装置将所述电磁锁的状态从所述锁定状态切换为所述解锁状态的解锁条件包括：所述压力传感器的检测值为阈值以下；以及所述浓度传感器的检测值为阈值以下。
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公开(公告)号：CN103309170B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310071266.0
申请日：2013-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种辅助曝光装置，在光刻法中实现显影处理后的抗蚀剂图案的膜厚或线宽的精度或面内均匀性的大幅度的提高。该辅助曝光装置（AE）（10）具有：水平搬送部（30），将基板（G）以固定的姿势在一水平方向上进行搬送；UV照射单元（32），对基板（G）上的抗蚀剂照射规定波长的紫外线（UV）；发光驱动部（34），对该UV照射单元（32）内的发光元件供给发光用的驱动电流；冷却机构（36），其将UV照射单元（32）内的发光元件冷却至设定温度；照度测定部（38），对由UV照射单元（32）进行的紫外线照射的照度进行测定；和用于控制装置内的各部的控制部（40）以及存储器（42）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102681350A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210043661.3
申请日：2012-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种局部曝光装置，调整在基板面内较细地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残留膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。具备：具有在基板输送路径上方沿着与基板输送方向相交叉的方向排列的多个发光元件的光源、能够选择性地将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个作为发光控制单位来进行发光驱动的发光驱动部、被设置成在被处理基板没有在光源下方输送的状态下能够沿着光源对被处理基板照射光的光照射位置而在基板宽度方向上进退来检测由光源照射的光照度的照度检测单元、存储由照度检测单元检测出的照度与发光元件的驱动电流值之间的关系作为相关表并且控制由发光驱动部对发光元件进行的驱动的控制部。
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公开(公告)号：CN104425308A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410455722.6
申请日：2014-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种能够实现轻量化且廉价的测定装置、基板处理系统和测定方法。实施方式的一个方式所涉及的测定装置包括搬送部、拍摄部和测定部。搬送部搬送形成有图案的基板。拍摄部配置于搬送部的上方，对载置于搬送部上的基板的图案进行拍摄。另外，测定部根据由拍摄部所拍摄的图案的图像信息来测定图案的形状。
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公开(公告)号：CN102314093B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110184492.0
申请日：2011-06-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F7/70291 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供能够提高在基板面内的显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性、并对布线图案的线宽以及间距的偏差进行抑制的局部曝光装置和局部曝光方法。局部曝光装置包括：基板输送部件；腔室，其用于形成对被处理基板进行曝光处理的空间；光源，其具有沿与基板输送方向交叉的方向线状排列的多个发光元件，能够利用发光元件的发光对在下方输送的被处理基板上的感光膜照射光；发光驱动部，能够将构成光源的多个发光元件中的一个或者多个发光元件作为发光控制单元而选择性地进行发光驱动；基板检测部件，其对被基板输送部件输送的被处理基板进行检测；控制部，其被供给基板检测部件的基板检测信号，并且控制由发光驱动部进行的发光元件的驱动。
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公开(公告)号：CN103309170A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310071266.0
申请日：2013-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种辅助曝光装置，在光刻法中实现显影处理后的抗蚀剂图案的膜厚或线宽的精度或面内均匀性的大幅度的提高。该辅助曝光装置（AE）（10）具有：水平搬送部（30），将基板（G）以固定的姿势在一水平方向上进行搬送；UV照射单元（32），对基板（G）上的抗蚀剂照射规定波长的紫外线（UV）；发光驱动部（34），对该UV照射单元（32）内的发光元件供给发光用的驱动电流；冷却机构（36），其将UV照射单元（32）内的发光元件冷却至设定温度；照度测定部（38），对由UV照射单元（32）进行的紫外线照射的照度进行测定；和用于控制装置内的各部的控制部（40）以及存储器（42）。
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公开(公告)号：CN112585722B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980053053.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。
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