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公开(公告)号：CN120033109A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411580575.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的基板处理装置具备：处理容器，具有能收容表面被液体润湿的状态的基板的处理空间；处理流体供给部，向处理容器供给超临界状态的处理流体，处理流体供给部具有：流体供给管线，一方与流体供给源连接，另一方与处理容器连接；泵，设置于流体供给管线；加热部，设置于泵的下游侧；第一流量调整部，设置于泵与加热部之间；第一压力测定部，设置于第一流量调整部与加热部之间；第二压力测定部，设置于泵与第一流量调整部之间；分支点，设置于流体供给管线中泵与第一流量调整部之间；连接点，设置于流体供给管线中泵的上游侧；分支管线，连接分支点与连接点；第二流量调整部，设置于分支管线；控制部，控制第二流量调整部。
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公开(公告)号：CN118197952A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311635825.6
申请日：2023-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制基板的图案倒塌的技术。本公开的一技术方案为一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基板干燥，其中，该基板处理装置具有：处理容器，其在内部收纳所述基板；保持部，其将所述基板以水平姿势保持在所述处理容器内的保持位置；以及流体供给部，其向所述处理容器内供给所述处理流体，所述流体供给部具有第1方向变更构件，该第1方向变更构件将自被所述保持部保持的所述基板的径向外侧供给的所述处理流体的流动向不会碰撞到所述基板的径向外端的方向变更。
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公开(公告)号：CN114664696A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111541778.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其中，能够从一个处理流体供给源向进行使用了超临界状态的处理流体的处理的基板处理部供给处理流体。基板处理装置包括：第1供给管线；多个第2供给管线；泵；多个基板处理部，其分别与多个第2供给管线连接；分支点，其在第1供给管线上设于比泵靠下游侧的位置；连接点，其在第1供给管线上设于比泵靠上游侧的位置；分支管线，其将分支点和连接点连起来；压力调整部，其在分支管线上设于分支点和连接点之间；以及控制部，其控制压力调整部，控制部根据被供给处理流体的基板处理部的数量来控制压力调整部，从而使向分支管线流动的处理流体的量变化而控制分支点处的处理流体的压力。
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公开(公告)号：CN118352268A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410023204.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制基片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置是能够使用超临界状态的处理流体使附着有液体的基片干燥的基片处理装置，其特征在于，包括：能够在内部收纳所述基片的处理容器；用于在所述处理容器内的保持位置以水平姿态保持所述基片的保持部；和用于向所述处理容器内供给所述处理流体的流体供给部，所述流体供给部能够在对所述处理容器内进行升压的中途，改变从被保持在所述保持部的所述基片的径向外侧供给的所述处理流体的流动。
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公开(公告)号：CN111446150B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068360A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110872158.8
申请日：2021-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供使进行超临界干燥的基板处理装置小型化的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体，而对所述基板进行干燥。所述基板处理装置包括压力容器、盖体以及支承体。所述压力容器在内部形成所述基板的干燥室。所述盖体封闭所述干燥室的开口。所述支承体在所述干燥室中水平地支承所述基板。所述支承体固定于所述干燥室。
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公开(公告)号：CN119998929A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071396.6
申请日：2023-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02
Abstract: 本公开的一个方式的流体供给系统向在内部对基板进行处理的处理容器内供给流体，该流体供给系统具有：处理流体供给部，其供给处理流体；流体供给路径，其与所述处理流体供给部以及所述处理容器连接，用于使温度被调整后的处理流体流通到所述处理容器内；第一加热机构，其设置于所述流体供给路径，将所述处理流体加热到第一温度；以及第二加热机构，其设置于所述流体供给路径，将所述处理流体加热到比所述第一温度低的第二温度，其中，所述处理流体供给部具有调整所述处理流体的流量的流量调整机构，所述流体供给路径具有：第一分支流路，其用于使所述处理流体经过所述第一加热机构流通到所述处理容器内；以及第二分支流路，其用于使所述处理流体经过所述第二加热机构流通到所述处理容器内。
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公开(公告)号：CN119028867A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410609342.7
申请日：2024-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和搬送位置调整方法。本发明能够抑制基板在处理容器的内部与外部的相对的位置偏移。基板处理装置具备对基板进行处理的处理单元。处理单元具有：处理容器，其收容基板；第一支承部，其在处理容器的内部将基板水平地支承；以及第二支承部，其在处理容器的外部将基板水平地支承。第一支承部和第二支承部以至少在从相对于处理容器搬入和搬出基板的方向观察时处理容器的内部的基板的中心轴与处理容器的外部的基板的中心轴彼此一致的方式支承基板。
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公开(公告)号：CN118366889A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410034476.0
申请日：2024-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的维护方法，能够顺利地进行干燥单元的维护。基板处理装置具备干燥单元和控制装置，该干燥单元将形成于水平的基板的上表面的液膜置换为超临界流体来对所述基板进行干燥。所述干燥单元具有壁板、电磁锁、压力传感器以及浓度传感器，所述壁板将内部空间与外部空间隔开，所述电磁锁在锁定状态与解锁状态之间切换，所述锁定状态是将所述壁板固定于限制从所述外部空间向所述内部空间的访问的位置的状态，所述解锁状态是允许所述壁板移动的状态。所述控制装置将所述电磁锁的状态从所述锁定状态切换为所述解锁状态的解锁条件包括：所述压力传感器的检测值为阈值以下；以及所述浓度传感器的检测值为阈值以下。
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公开(公告)号：CN118366888A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410023847.5
申请日：2024-01-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , B08B3/02 , B08B3/08
Abstract: 本发明提供一种能够降低基片间的处理偏差的技术。本公开的一个方式的基片处理装置包括：单位模块，其包括用于在基片的上表面形成液膜的多个液膜形成单元和用于将所述液膜置换为超临界流体而使所述基片干燥的干燥单元；以及输送模块，其设置于多个所述液膜形成单元与所述干燥单元之间，所述输送模块具有在多个所述液膜形成单元与所述干燥单元之间输送所述基片的输送装置，在多个所述液膜形成单元的每一个与所述干燥单元之间所述基片的输送路径的长度相等。
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