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公开(公告)号：CN101697064B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910164462.6
申请日：2003-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: B01D61/58 , B01D69/02 , B01D71/26 , B01D71/56 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了能够获得可以抑制显影后抗蚀图案的疵点的光致抗蚀剂组合物的技术。另外，为了提供能获得杂质时效特性(保存稳定性)优良的光致抗蚀剂组合物的技术，并提供能获得处理前后不易引起感光度和抗蚀图案尺寸变化的光致抗蚀剂组合物的技术，而进行了下述的光致抗蚀剂组合物的制造方法，该方法具有使光致抗蚀剂组合物通过设置有在pH7.0的蒸馏水中具有-20mV以上、15mV以下ζ电位的第1膜的第1过滤器的工序，其中所述光致抗蚀剂组合物含有树脂成分(A)、由曝光产生酸的酸产生剂成分(B)和有机溶剂(C)。
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公开(公告)号：CN1997939B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200380104689.2
申请日：2003-12-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供一种形成抗蚀图案的方法，该方法可以使在良好控制图案尺寸下形成抗蚀图案，并且提供在该方法中使用的正型抗蚀剂组合物和使用正型抗蚀剂组合物形成的层状产品。在上面方法中，将包含树脂组分(A)和通过曝光生成酸的酸生成剂组分(B)的正型抗蚀剂组合物涂布在基材上，所述的树脂组分(A)包含衍生自由下面通式(I)表示的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，并且在酸作用下显示提高的碱溶解度，进行预烘焙，选择性地曝光抗蚀剂组合物，进行后曝光烘焙(PEB)，然后使用碱性显影以形成抗蚀图案，然后通过热处理使由此产生的抗蚀图案的图案尺寸变窄。
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公开(公告)号：CN101099114B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200580046147.3
申请日：2005-11-08
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/26 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
Abstract: 本发明的抗蚀剂图案的形成方法，是包括下述工序(i)～(ii)的抗蚀剂图案的形成方法：(i)使用正型抗蚀剂组合物在基板上形成第1抗蚀剂层，选择性地进行曝光，在该第1抗蚀剂层上形成密图案的潜像部的工序；(ii)使用负型抗蚀剂组合物在该第1抗蚀剂层上形成第2抗蚀剂层，选择性地进行曝光后，同时使第1抗蚀剂层和第2抗蚀剂层显像，使所述密图案的潜像部的一部分露出的工序；该抗蚀剂图案的形成方法的特征在于：作为所述负型抗蚀剂组合物，使用在不溶解第1抗蚀剂层的有机溶剂中溶解的负型抗蚀剂组合物。
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公开(公告)号：CN1726435B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200380106292.7
申请日：2003-12-18
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: B01D61/58 , B01D69/02 , B01D71/26 , B01D71/56 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了能够获得可以抑制显影后抗蚀图案的疵点的光致抗蚀剂组合物的技术。另外，为了提供能获得杂质时效特性(保存稳定性)优良的光致抗蚀剂组合物的技术，并提供能获得处理前后不易引起感光度和抗蚀图案尺寸变化的光致抗蚀剂组合物的技术，而进行了下述的光致抗蚀剂组合物的制造方法，该方法具有使光致抗蚀剂组合物通过设置有在pH7.0的蒸馏水中具有-20mV以上、15mV以下ζ电位的第1膜的第1过滤器的工序，其中所述光致抗蚀剂组合物含有树脂成分(A)、由曝光产生酸的酸产生剂成分(B)和有机溶剂(C)。
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公开(公告)号：CN100523804C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101408728A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810212866.3
申请日：2008-09-10
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含有能用作产酸剂的新型化合物的抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法、所述化合物、能用作所述化合物的前体的化合物及其制造方法。其中，涉及式(I)表示的化合物以及式(b1－1)表示的化合物[式中，X是－O－、－S－、－O－R3－或－S－R4－，R3和R4分别独立地是碳原子数为1～5的亚烷基；R2是碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为1～6的卤代烷基、卤原子、碳原子数为1～6的羟烷基、羟基或氰基；a是0～2的整数；Q1是碳原子数为1～12的亚烷基或单键；Y1是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；M+是碱金属离子；A+是有机阳离子。
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公开(公告)号：CN111595825B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010097888.0
申请日：2020-02-17
Applicant: 国立大学法人横浜国立大学 , 东京应化工业株式会社
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明涉及纳米结构体阵列、氢检测用元件及氢检测装置。纳米结构体阵列，其具备基体、和形成于该基体上的纳米结构体，且所述纳米结构体阵列排列有多个上述纳米结构体，上述纳米结构体由存在表面等离振子、且具有吸藏及释放氢的性质的金属形成，上述基体由与氢反应而从导体可逆地向电介质变化的氢响应性材料形成，通过入射至上述纳米结构体的光而发生表面等离振子共振。
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公开(公告)号：CN115469508A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210442088.7
申请日：2022-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及图案形成方法及固化性组合物的制造方法。图案形成方法，其包括下述工序：使用含有金属氧化物纳米粒子的固化性组合物，在基板上形成固化性膜的工序；将具有线与间隔图案的模具按压于固化性膜，从而在固化性膜上转印线与间隔图案的工序；在将模具按压于固化性膜的同时，使转印有线与间隔图案的固化性膜进行固化，从而形成固化膜的工序；以及，将模具从固化膜剥离，从而在基板上形成线与间隔图案的工序，形成于基板上的线与间隔图案的基部的线宽度x、与金属氧化物纳米粒子的体积平均一次粒径φ满足：0.03x
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公开(公告)号：CN100565341C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0-1)和含酚羟基的结构单元(a0-2)。
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公开(公告)号：CN100537623C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200580026129.9
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种可以构成能形成LER降低的高清晰度的图案的正型抗蚀剂组合物的高分子化合物、由该高分子化合物构成的酸发生剂、含有该高分子化合物的正型抗蚀剂组合物、和使用了该正型抗蚀剂组合物的抗蚀图案形成方法。所述高分子化合物含有：从具有酸解离性溶解抑制基团的(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a1)、用下述通式(a2-1)表示的结构单元(a2)、从含有含极性基团的脂肪族多环式基团的(α-低级烷基)丙烯酸酯衍生的结构单元(a3)，在式中，R是氢原子或者低级烷基；A是2价的有机基团；B是1价的有机基团；X是硫原子或者碘原子；n是1或者2；Y是至少一个氢原子可以被氟原子取代的直链、支链或者环状的烷基。
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