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公开(公告)号：CN1712635B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200510079469.X
申请日：2005-06-23
IPC: D07B1/16
CPC classification number: D07B1/068 , D07B1/162 , D07B1/165 , D07B7/145 , D07B2201/1014 , D07B2201/2049 , D07B2201/2061 , D07B2201/2065 , D07B2205/2064 , D07B2207/404 , D07B2501/2007 , D07B2501/2015 , D07B2801/24 , D07B2801/22 , D07B2801/60
Abstract: 本发明提供一种相对于弯曲具有良好的柔软性、耐弯曲疲劳性优异、能够实现与滑轮的良好的驱动力传递和肃静性的包覆缆索。其具有芯索、配置并捻合在该芯索的外周上的多根侧部件、和包围侧部件的树脂包覆体，芯索备有芯索主体、和内包该芯索主体的树脂包覆层，所述芯索主体具有合成树脂芯、和以在一个以上部位上相互间具有间隙的方式捻合在该合成树脂芯周围的多根侧绞股，侧部件具有合成树脂芯、和捻合在该合成树脂芯周围的多根绞股或单丝，树脂包覆层在外周上具有分隔件部分，由该分隔件部分在各侧部件间分别形成大致均等的间隙，与超过侧部件的外接圆的外层树脂层一体化了的树脂层填埋了这些间隙，也填埋了各侧部件的绞股间或单丝间的间隙。
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公开(公告)号：CN1712635A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510079469.X
申请日：2005-06-23
IPC: D07B1/16
CPC classification number: D07B1/068 , D07B1/162 , D07B1/165 , D07B7/145 , D07B2201/1014 , D07B2201/2049 , D07B2201/2061 , D07B2201/2065 , D07B2205/2064 , D07B2207/404 , D07B2501/2007 , D07B2501/2015 , D07B2801/24 , D07B2801/22 , D07B2801/60
Abstract: 本发明提供一种相对于弯曲具有良好的柔软性、耐弯曲疲劳性优异、能够实现与滑轮的良好的驱动力传递和肃静性的包覆缆索。其具有芯索、配置并捻合在该芯索的外周上的多根侧部件、和包围侧部件的树脂包覆体，芯索备有芯索主体、和内包该芯索主体的树脂包覆层，所述芯索主体具有合成树脂芯、和以在一个以上部位上相互间具有间隙的方式捻合在该合成树脂芯周围的多根侧绞股，侧部件具有合成树脂芯、和捻合在该合成树脂芯周围的多根绞股或单丝，树脂包覆层在外周上具有分隔件部分，由该分隔件部分在各侧部件间分别形成大致均等的间隙，与超过侧部件的外接圆的外层树脂层一体化了的树脂层填埋了这些间隙，也填埋了各侧部件的绞股间或单丝间的间隙。
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公开(公告)号：CN101621040A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150584.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/051 , H01L23/24 , H01L2224/33181
Abstract: 本发明提供一种能够充分确保散热性能，且降低在接合材料中产生的热应力，由此能够抑制接合材料的热疲劳的半导体装置。在由半导体芯片、在半导体芯片的下侧经由第一接合材料接合且具有导电性的基电极、在半导体芯片的上侧经由第二接合材料接合且具有导电性的引线电极、用于降低因半导体芯片和基电极的膨胀量差产生的第一接合材料的应力的第一应力缓冲材料构成的半导体装置中，在第一接合材料的下面设置基电极和第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。
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公开(公告)号：CN101393901A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213494.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/488 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/32507 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn－(1～10质量％)Cu－(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。
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公开(公告)号：CN109074943B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201680084483.5
申请日：2016-04-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F27/26
Abstract: 本发明的目的在于提高具有卷铁心的变压器的性能。而且，在具有卷绕有带状的磁性材料的卷铁心以及以穿过所述卷铁心的内周的方式卷绕的线圈的变压器中，具有：卷铁心保持构件，其是支承所述卷铁心的上部内侧且比所述卷铁心的宽度长的构件；以及线圈保持构件，其支承所述线圈的下部外侧，所述变压器具备：第一支承构件，其具有配置在所述卷铁心的外周且对所述卷铁心保持构件进行支承的上部梁、及配置在所述线圈的外周且对所述线圈保持构件进行支承的下部梁；以及第二支承构件，其具有一对外板和卷铁心保护构件，该一对外板配置在所述上部梁的内侧，且由比所述卷铁心与所述线圈的直径相加后的宽度长的连接构件连接，该卷铁心保护构件覆盖所述线圈的外周与所述卷铁心的内侧相面对的部分，该卷铁心保护构件的宽度比所述卷铁心的宽度长，该卷铁心保护构件与所述外板连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101783304A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010001460.8
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种具有半导体元件、与所述半导体元件连接的被连接材料的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在所述半导体元件和表面形成有Ni层的所述被连接材料之间配置包含Cu6Sn5相的Sn-(3～7)Cu钎料的工序；加热所述Sn-(3～7)Cu钎料，使Cu6Sn5化合物析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。
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公开(公告)号：CN109074943A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084483.5
申请日：2016-04-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F27/26
CPC classification number: H01F27/06 , H01F27/245 , H01F27/26
Abstract: 本发明的目的在于提高具有卷铁心的变压器的性能。而且，在具有卷绕有带状的磁性材料的卷铁心以及以穿过所述卷铁心的内周的方式卷绕的线圈的变压器中，具有：卷铁心保持构件，其是支承所述卷铁心的上部内侧且比所述卷铁心的宽度长的构件；以及线圈保持构件，其支承所述线圈的下部外侧，所述变压器具备：第一支承构件，其具有配置在所述卷铁心的外周且对所述卷铁心保持构件进行支承的上部梁、及配置在所述线圈的外周且对所述线圈保持构件进行支承的下部梁；以及第二支承构件，其具有一对外板和卷铁心保护构件，该一对外板配置在所述上部框的内侧，且由比所述卷铁心与所述线圈的直径相加后的宽度长的连接构件连接，该卷铁心保护构件覆盖所述线圈的外周与所述卷铁心的内侧相面对的部分，该卷铁心保护构件的宽度比所述卷铁心的宽度长，该卷铁心保护构件与所述外板连接。
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公开(公告)号：CN101621040B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910150584.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/051 , H01L23/24 , H01L2224/33181
Abstract: 本发明提供一种能够充分确保散热性能，且降低在接合材料中产生的热应力，由此能够抑制接合材料的热疲劳的半导体装置。在由半导体芯片、在半导体芯片的下侧经由第一接合材料接合且具有导电性的基电极、在半导体芯片的上侧经由第二接合材料接合且具有导电性的引线电极、用于降低因半导体芯片和基电极的膨胀量差产生的第一接合材料的应力的第一应力缓冲材料构成的半导体装置中，在第一接合材料的下面设置基电极和第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。
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公开(公告)号：CN101016134B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610132084.X
申请日：2006-10-24
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 提供以简便的方法对电梯中的吊索和绳轮的老化情况进行评价的电梯。在吊索式电梯(100)中，由吊索(2)连接电梯轿厢(1)和平衡重(6)。由电动机对卷挂有吊索的绳轮(4)进行旋转驱动以使电梯轿厢升降。位置检测器(9)根据电梯轿厢经过只相隔规定距离而设置的屏蔽板(8，8)之间的时间以及屏蔽板之间的间隔，来检测电梯轿厢的速度。运算部分(16)中的存储装置存储电梯轿厢速度与吊索或绳轮的老化之间的关系，通过与该存储装置进行核对来判断吊索或绳轮的老化。
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公开(公告)号：CN102169858A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110032685.4
申请日：2011-01-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/473 , H02M1/00 , H05K7/20 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/473 , F28F3/12 , H01L23/053 , H01L25/165 , H01L2924/0002 , H05K7/20927 , Y10T29/4998 , Y10T29/49989 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体功率模块、电力转换装置和水路形成体的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够降低损失的半导体功率模块。为了解决上述课题，半导体功率模块(110)是具备与电容模块(200)连接的直流端子(111a、111b)、并且与冷却用的水路形成体(101)组合在一起来使用的半导体功率模块(110)，其特征在于，直流端子(111a、111b)比所述水路形成体(101)向电容模块(200)侧凸出。
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