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公开(公告)号：CN119899668A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510235483.1
申请日：2025-02-28
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/80 , C01G25/00 , H10H20/851
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发类太阳光LED用青光荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Ca2LuZr2Al1.5Ga1.5O12:xCe3+其中0.02≤x≤0.07。本发明提供的所述紫光激发类太阳光LED用青光荧光材料是一种全新的，未被报道过的紫光激发Ce3+掺杂的氧化物青光发射荧光材料，所述荧光粉具有宽激发带，有效吸收范围覆盖300～450nm，可被紫光激发，并发射中心波长位于485nm的青光，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用常规固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点，可作为下一代全光谱照明白光LED广泛应用的良好候选材料。所述荧光粉完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，满足商业化市场需求，适应于白光LED、类太阳光LED、全光谱LED等的应用。
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公开(公告)号：CN117736730A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311539281.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/73 , H01L33/50 , C01B25/455
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发光谱可调荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Na2Ca1‑x‑yPO4F:xEu2+,yMn2+，其中，0.001≤x≤0.1，0.001≤y≤0.1。本发明所述荧光粉具有宽激发带，可有效吸收范围覆盖220～450nm，可被紫外、紫光、蓝光激发，发射光谱可调控，实现青光‑绿光‑白光‑黄光‑橙红光的多色发射，发射中心波长从475nm可调节至600nm，发射范围涵盖400～750nm，量子效率可达到42.5％，使用400nm紫光作为激发时依然可以保持最强激发下发光强度的65％及以上，且并未被报道过。本发明荧光粉为铕/锰共掺杂的氧氟化物基光谱可调荧光粉，具备物理化学性质稳定的优势，该荧光粉可采用常规固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点，可为白光LED广泛应用的良好候选材料。
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公开(公告)号：CN116144357B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202211615460.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的绿光发射荧光2+粉及其制备方法与应用。其为紫外激发的Eu 掺杂的绿色荧光粉，属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑EuO体系，其中，A为Ca、Sr或Ba的一种或几种；B为Ga或In的一种或几种，其组分以各个氧化物的质量百分比为：20.41％≤AO≤41.2％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.48％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤EuO≤0.384％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，其发射波长包含435～650nm，属于宽带发射，可有效吸收200～480nm波长范围内的光，具有发射光谱范围宽的特点，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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公开(公告)号：CN116144357A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211615460.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的绿光发射荧光粉及其制备方法与应用。其为紫外激发的Eu2+掺杂的绿色荧光粉，属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑EuO体系，其中，A为Ca、Sr或Ba的一种或几种；B为Ga或In的一种或几种，其组分以各个氧化物的质量百分比为：20.41％≤AO≤41.2％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.48％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤EuO≤0.384％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，其发射波长包含435～650nm，属于宽带发射，可有效吸收200～480nm波长范围内的光，具有发射光谱范围宽的特点，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440868A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210975520.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明属于LED封装技术领域，具体涉及一种未被报道过的新型基于单组分全光谱荧光粉封装的类太阳光/全光谱LED，其特征在于：(1)采用全新的单组分全光谱荧光粉作为荧光转换材料。该荧光粉的化学结构通式为：Ca9(1‑x)MgNa(PO4)7:xEu2+，由新型拓扑化学反应制备而成，该荧光粉在375nm近紫外光的激发下，发射光谱范围为400～800nm，光谱连续，无缺失。(2)采用新型光源封装方式：光源整体由LED支架、LED芯片、掺杂高折射率粒子的高透硅胶、透明罩以及荧光胶组成，所述LED芯片安装在所述LED支架中间的凹槽内，所述掺杂高折射率粒子的高透硅胶，涂覆在所述LED芯片表面，所述透明罩安装在所述LED支架上，所述荧光胶涂覆在所述透明罩上。本发明LED光源具备无蓝光危害、视觉舒适性高、健康性高、发光效率高、显色指数高、颜色均匀性好、颜色稳定性好、散热性能好的优点，适用于健康照明。
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公开(公告)号：CN114574804A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210206400.2
申请日：2022-03-03
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种TiCrWN高硬梯度复合涂层及其制备方法，包括自内至外依次沉积在基体表面的Ti打底层、TiN过渡层、TiCrN层、TiN层和TiCrWN表面膜层；具体方法包括如下步骤：(1)基体表面预处理；(2)制备Ti打底层；(3)制备TiN过渡层；(4)制备TiCrN层；(5)制备TiN层；(6)制备TiCrWN表面膜层；Ti打底层、TiN过渡层、TiCrN层、TiN层和TiCrWN表面膜层的总体厚度为2.1‑4.1μm；Ti打底层的厚度为0.2‑0.4μm，TiN过渡层的厚度为0.3‑0.6μm，TiCrN过渡层的厚度为0.5‑1μm，TiCrWN表面膜层的厚度为0.8‑1.5μm；本发明通过各过渡层梯度叠加的方法，在TiCrN过渡层和TiCrWN表面膜层之间添加一层TiN层使得TiCrWN纳米涂层牢牢结合在刀具表面之上，使得各层的结合强度进一步提升。
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公开(公告)号：CN117903788A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311539282.8
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/64 , H01L33/50 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种紫光高响应绿光荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Ba6‑xAlSiO9F:xEu2+，其中0.001≤x≤0.1。本发明荧光粉为宽激发绿色荧光粉，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用常规固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化生产的特点，可为白光LED广泛应用的良好候选材料。本发明所述荧光粉完全可以与现有的紫外、紫光、蓝光等多种芯片进行很好地匹配，在400nm下激发下保持最佳发射强度的90％左右，在410nm激发下发光强度依然保持在75％以上，发光性能优异，可高响应于紫光激发芯片，具有应用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等健康照明领域的巨大发展潜力。
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公开(公告)号：CN116609356A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310651158.4
申请日：2023-06-02
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: G01N21/952 , G01N21/01
Abstract: 本发明属于机械零件缺陷检测视觉装置领域，具体的说是一种机械零件缺陷检测视觉装置，包括支撑架，支撑架上安装CCD相机，支撑架上旋接两组带轮，两组带轮上套设同步带，同步带连接拨料机构，拨料机构右上方设置下料机构，拨料机构包括：旋接套，旋接套固定在同步带上，旋接旋接套的承接块，固定连接承接块的壳架，以及，固定在壳架端部的三组拨料爪，下料机构包括：下料架，下料架上端固定连接支撑架，旋接在下料架下端的轴一，根据结果控制另一组电机驱动轴一连同分料盒对应的盛料盒方向转动，使零件通过盛料盒滚落到盛料盒内，在将盛料盒转为初始水平状态，循环重复上述过程，从而实现自动对零件取料以及良次品分类的功能。
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公开(公告)号：CN115612493B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211097161.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu(Ⅱ)单掺杂红光发射荧光粉及其制备方法和应用，该荧光粉的化学通式为Ba3YB3O9:xEu2+，其中0.25mol％≤x≤1mol％。该荧光粉的制备方法包括以下步骤：按照化学计量比称取原料粉体，研磨均匀；然后将研磨好的原料放入坩埚中，煅烧后冷却，得到前驱体；将得到的前驱体二次研磨均匀后，还原烧结，冷却后得到所述红光发射荧光粉。与现有技术相比，本发明提供的红光发射荧光粉可在紫外光激发下发射出光谱范围涵盖435～800nm的宽带红光，具有物理化学性质稳定、制备工艺简单、利于工业化成产的优点，可以与现有的商业紫外LED芯片很好地匹配。
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