公开(公告)号：CN118813249A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410793073.4

申请日：2024-06-19

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  葛世豪 ,  侯京山 ,  董浪平 ,  蒋广翔 ,  吴江华 ,  刘玉峰 ,  赵国营 ,  张刚华 ,  王传兵

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50 ,  A01G7/04

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为RbSr2‑xCl5:xEu2+其中0.01≤x≤0.1。与现有技术相比，本发明提供的所述紫外激发的蓝色荧光材料是一种紫外激发Eu2+掺杂的卤化物基420nm蓝光发射荧光材料，具有宽激发带，有效吸收范围覆盖200～400nm，可被紫外激发，中心发射波长420nm的蓝光，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用封管真空固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点，可作为紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等蓝光部分广泛应用的良好候选材料。

公开(公告)号：CN118772873A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410754086.0

申请日：2024-06-12

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  葛世豪 ,  侯京山 ,  吴江华 ,  董浪平 ,  蒋广翔 ,  刘玉峰 ,  赵国营 ,  张刚华 ,  王传兵

IPC: C09K11/61 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及荧光材料制备技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的荧光材料及其制备与应用。本发明的荧光材料的化学表达式为Cs2MnCl4:xEu3+，其中，0.005≤x≤0.08；或，该荧光材料的化学表达式为Cs2Mn1‑yBiyCl4其中0.005≤y≤0.08。本发明的荧光材料具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光材料可采用水热法制得，具有制备工艺简单、所制备样品纯度高的优点，可作为白光LED芯片或近红外pc‑LED芯片的良好候选材料；所述荧光材料完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，满足商业化市场需求。

公开(公告)号：CN116004227B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202211615458.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  郑玉玲 ,  房永征 ,  董浪平 ,  赵国营 ,  覃志宇 ,  杨磊 ,  王安 ,  王传兵 ,  杨卫桥 ,  周晓萍 ,  林燕丹

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。

公开(公告)号：CN116004227A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211615458.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  郑玉玲 ,  房永征 ,  董浪平 ,  赵国营 ,  覃志宇 ,  杨磊 ,  王安 ,  王传兵 ,  杨卫桥 ,  周晓萍 ,  林燕丹

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。

公开(公告)号：CN112094644A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010967352.X

申请日：2020-09-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  房永征 ,  王成泽 ,  刘志福 ,  刘玉峰 ,  赵国营 ,  林燕丹 ,  王传兵

IPC: C09K11/71 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉及其制备和应用，所述单相全光谱荧光粉的化学式为(Ca9‑xEux)MgK(PO4)7，其中x＝0.5％～5.0％，mol％。具体制备过程中包括：按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体，将前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到LED用单相全光谱荧光粉。与现有技术相比，本发明可涵盖420～800nm波段，且具备超宽连续光谱发射特定的全光谱白光解决方案；将制备的单相全光谱荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为95。

公开(公告)号：CN118813255A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410794222.9

申请日：2024-06-19

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  孟桂臣 ,  房永征 ,  吴江华 ,  蒋广翔 ,  董浪平 ,  刘玉峰 ,  赵国营 ,  张刚华 ,  林燕丹 ,  杨磊 ,  周鹏程 ,  马显超 ,  王传兵

IPC: C09K11/70 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种用于全光谱健康照明的青光荧光粉及其制备方法与应用，所述青光荧光粉的化学组成为LiHf2(PO4)3：xEu2+，其中0

公开(公告)号：CN112159659B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202010966177.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  房永征 ,  曹艳蓉 ,  王安 ,  邹军 ,  林燕丹 ,  王传兵

IPC: C09K11/71 ,  H01L33/50 ,  F21K9/64 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明涉及一种高品质健康照明LED用单相全光谱荧光粉及其制备方法和应用，其分子式为(Ca19‑xEux)Zn2(PO4)14，所述单相全光谱荧光粉中各元素之间的摩尔比为：(Ca+Eu):Zn:(PO4)＝19:2:14，其中Ca:Eu＝(99:1)～(990:1)；具体制备过程中包括：按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体，将前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到LED用单相全光谱荧光粉。与现有技术相比，本发明能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖410‑800nm的全光谱白光；将本荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为94.1，色温为5341K；适用于高品质照明，全光谱照明，健康照明等领域。

公开(公告)号：CN112159659A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202010966177.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  房永征 ,  曹艳蓉 ,  王安 ,  邹军 ,  林燕丹 ,  王传兵

IPC: C09K11/71 ,  H01L33/50 ,  F21K9/64 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明涉及一种高品质健康照明LED用单相全光谱荧光粉及其制备方法和应用，其分子式为(Ca19‑xEux)Zn2(PO4)14，所述单相全光谱荧光粉中各元素之间的摩尔比为：(Ca+Eu):Zn:(PO4)＝19:2:14，其中Ca:Eu＝(99:1)～(990:1)；具体制备过程中包括：按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体，将前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到LED用单相全光谱荧光粉。与现有技术相比，本发明能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖410‑800nm的全光谱白光；将本荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为94.1，色温为5341K；适用于高品质照明，全光谱照明，健康照明等领域。