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公开(公告)号：CN119286523A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411287805.9
申请日：2024-09-14
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/85 , H10H20/851
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用，该蓝色荧光材料的化学表达式为Rb2La1‑xCl5:xEu2+，其中0.005≤x≤0.08。制备方法包括以下步骤：(1)按照计量比，称取铷源化合物、镧源化合物、铕源化合物原料粉体，均匀后，得到混合料；(2)将步骤(1)中得到的混合料进行研磨混合均匀，得到原料粉末；(3)将研磨后的原料粉末进行烧结，随后冷却至室温，最终得到所述紫外激发的蓝色荧光材料。与现有技术相比，本发明提供的紫外激发的蓝色荧光材料是一种新型紫外激发Eu2+掺杂的卤化物基蓝光发射荧光粉，能够满足目前白光LED、类太阳光LED、全光谱LED方面的迫切需求。
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公开(公告)号：CN118813249A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410793073.4
申请日：2024-06-19
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为RbSr2‑xCl5:xEu2+其中0.01≤x≤0.1。与现有技术相比，本发明提供的所述紫外激发的蓝色荧光材料是一种紫外激发Eu2+掺杂的卤化物基420nm蓝光发射荧光材料，具有宽激发带，有效吸收范围覆盖200～400nm，可被紫外激发，中心发射波长420nm的蓝光，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用封管真空固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点，可作为紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等蓝光部分广泛应用的良好候选材料。
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公开(公告)号：CN118772873A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410754086.0
申请日：2024-06-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光材料制备技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的荧光材料及其制备与应用。本发明的荧光材料的化学表达式为Cs2MnCl4:xEu3+，其中，0.005≤x≤0.08；或，该荧光材料的化学表达式为Cs2Mn1‑yBiyCl4其中0.005≤y≤0.08。本发明的荧光材料具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光材料可采用水热法制得，具有制备工艺简单、所制备样品纯度高的优点，可作为白光LED芯片或近红外pc‑LED芯片的良好候选材料；所述荧光材料完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，满足商业化市场需求。
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公开(公告)号：CN118725854A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410777631.8
申请日：2024-06-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带发射的绿光发射荧光粉及其制备方法与应用，所述绿光发射荧光粉属于AO‑SiO2‑Si3N4‑EuO体系；其中，A包括Ca、Sr和Ba中的一种或几种；所述绿光发射荧光粉中各物质的质量百分比为：AO 60.36％‑80.86％，SiO218.00％‑38.50％，Si3N4 0.00％‑20.46％，EuO 0.11％‑0.65％。与现有技术相比，本发明制备的宽带发射的绿光发射荧光粉在紫外光激发下的发射出光谱范围涵盖450～800nm，中心波长位于538nm的绿光，拓宽了发射光谱的范围。
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公开(公告)号：CN117701279A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311539284.7
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发类太阳光LED用蓝色荧光材料及其制备方法。该荧光材料的化学表达式为Li2Ba8Lu2(1‑x)Si6O24:xCe3+，其中0.01≤x≤0.2。与现有技术相比，本发明紫光激发类太阳光LED用蓝色荧光材料是一种新型紫光激发铈掺杂的氧化物基蓝光荧光粉，所得荧光粉可以在400nm紫光激发下，发射中心波长为440nm的蓝光，实现紫光激发蓝光发射。本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低、应用前景广泛等突出优势，其发射波长包含420～600nm，量子效率达到51％，匹配紫光激发芯片，适用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118853162A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410864033.4
申请日：2024-06-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高稳定全光谱钙钛矿纳米晶及其制备方法和装置，纳米二氧化钛的表面经过卤化铅修饰，所述卤化铅再与铯前驱体反应生成的钙钛矿纳米晶在合成过程中与纳米二氧化钛原位结合，所述纳米二氧化钛包覆钙钛矿纳米晶；所述卤化铅选自氯化铅、溴化铅、碘化铅中的一种或多种，所述卤化铅与纳米二氧化钛的摩尔比为1:(1‑4)，所述铯前驱体与卤化铅中铯与铅的摩尔比为1:(2‑7)。与现有技术相比，本发明增强了钙钛矿纳米晶的发光强度、水稳定性和热稳定性，可实现全光谱调控及其连续可控制备。
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公开(公告)号：CN118792050A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410783267.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/70 , H01L33/50 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其是涉及一种紫外、紫光或蓝光激发的青色荧光粉及其制备方法与应用。该青色荧光粉的化学式为LiHf2(PO4)3：xEu2+yMg2+，其中0
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公开(公告)号：CN118772874A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410754089.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光材料技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的黄色荧光材料及其制备与应用。本发明的黄色荧光材料的化学表达式为Cs2Mn1‑xEuxCl4，其中0.01≤x≤0.11。该黄色荧光材料是一种未被报道过的紫光激发的卤化物基566nm黄光发射荧光材料；该黄色荧光材料具有宽激发带，有效吸收范围覆盖200～450nm，可被紫光激发，中心发射波长566nm的黄光；该荧光材料具备物理化学性能稳定、具有制备工艺简单的特点，可作为白光LED广泛应用的良好候选材料；该荧光材料完全可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，满足商业化市场需求，适应于白光LED、类太阳光LED、全光谱LED等的应用。
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公开(公告)号：CN118725855A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410765378.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种硬脂酸包覆的红色荧光粉及其制备方法与应用，所述红色荧光粉为Mn4+掺杂氟化物，其典型代表通式为K2SiF6:Mn4+；所述红色荧光粉外层包覆有疏水性的硬脂酸，硬脂酸与前驱体K2MnF6的摩尔比为(0.242‑0.605):0.3。制备方法包括以下步骤：将KHF2和KMnO4溶于HF溶液并持续搅拌，随后加入H2O2直至固体析出，洗涤、干燥后即可得到前驱体K2MnF6；将前驱体K2MnF6溶于氟硅酸溶液中，随后加入KF至溶解；向混合溶液中加入硬脂酸乙醇溶液，持续搅拌至完全反应，洗涤、干燥后即可得到硬脂酸包覆的红色荧光粉。与现有技术相比，本发明在Mn4+掺杂氟化物红色荧光粉的表面包覆一层疏水的有机高沸点硬脂酸层，可以显著提高红色荧光粉的荧光热稳定性和耐水稳定性。
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