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公开(公告)号：CN115612493B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211097161.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu(Ⅱ)单掺杂红光发射荧光粉及其制备方法和应用，该荧光粉的化学通式为Ba3YB3O9:xEu2+，其中0.25mol％≤x≤1mol％。该荧光粉的制备方法包括以下步骤：按照化学计量比称取原料粉体，研磨均匀；然后将研磨好的原料放入坩埚中，煅烧后冷却，得到前驱体；将得到的前驱体二次研磨均匀后，还原烧结，冷却后得到所述红光发射荧光粉。与现有技术相比，本发明提供的红光发射荧光粉可在紫外光激发下发射出光谱范围涵盖435～800nm的宽带红光，具有物理化学性质稳定、制备工艺简单、利于工业化成产的优点，可以与现有的商业紫外LED芯片很好地匹配。
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公开(公告)号：CN117701279A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311539284.7
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发类太阳光LED用蓝色荧光材料及其制备方法。该荧光材料的化学表达式为Li2Ba8Lu2(1‑x)Si6O24:xCe3+，其中0.01≤x≤0.2。与现有技术相比，本发明紫光激发类太阳光LED用蓝色荧光材料是一种新型紫光激发铈掺杂的氧化物基蓝光荧光粉，所得荧光粉可以在400nm紫光激发下，发射中心波长为440nm的蓝光，实现紫光激发蓝光发射。本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低、应用前景广泛等突出优势，其发射波长包含420～600nm，量子效率达到51％，匹配紫光激发芯片，适用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等应用。
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公开(公告)号：CN115612493A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211097161.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu(Ⅱ)单掺杂红光发射荧光粉及其制备方法和应用，该荧光粉的化学通式为Ba3YB3O9:xEu2+，其中0.25mol％≤x≤1mol％。该荧光粉的制备方法包括以下步骤：按照化学计量比称取原料粉体，研磨均匀；然后将研磨好的原料放入坩埚中，煅烧后冷却，得到前驱体；将得到的前驱体二次研磨均匀后，还原烧结，冷却后得到所述红光发射荧光粉。与现有技术相比，本发明提供的红光发射荧光粉可在紫外光激发下发射出光谱范围涵盖435～800nm的宽带红光，具有物理化学性质稳定、制备工艺简单、利于工业化成产的优点，可以与现有的商业紫外LED芯片很好地匹配。
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公开(公告)号：CN117903788A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311539282.8
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/64 , H01L33/50 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种紫光高响应绿光荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Ba6‑xAlSiO9F:xEu2+，其中0.001≤x≤0.1。本发明荧光粉为宽激发绿色荧光粉，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用常规固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化生产的特点，可为白光LED广泛应用的良好候选材料。本发明所述荧光粉完全可以与现有的紫外、紫光、蓝光等多种芯片进行很好地匹配，在400nm下激发下保持最佳发射强度的90％左右，在410nm激发下发光强度依然保持在75％以上，发光性能优异，可高响应于紫光激发芯片，具有应用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等健康照明领域的巨大发展潜力。
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公开(公告)号：CN116004227B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211615458.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117736734A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311539286.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Sr3CeNa(PO4)3F:xEu2+其中0.01≤x≤0.06。本发明提供的所述紫光激发的蓝色荧光材料是一种全新的，未被报道过的紫外激发Eu2+掺杂的氧氟化物基447nm蓝光发射荧光材料，所述荧光粉具有宽激发带，有效吸收范围覆盖220～420nm，可被紫外激发，中心发射波长447nm的蓝光，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用常规固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点，可作为白光LED广泛应用的良好候选材料。所述荧光粉完全可以与现有的紫外芯片进行很好地匹配，满足商业化市场需求，适应于白光LED、类太阳光LED、全光谱LED等的应用。
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公开(公告)号：CN116004227A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211615458.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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公开(公告)号：CN117736730A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311539281.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/73 , H01L33/50 , C01B25/455
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发光谱可调荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Na2Ca1‑x‑yPO4F:xEu2+,yMn2+，其中，0.001≤x≤0.1，0.001≤y≤0.1。本发明所述荧光粉具有宽激发带，可有效吸收范围覆盖220～450nm，可被紫外、紫光、蓝光激发，发射光谱可调控，实现青光‑绿光‑白光‑黄光‑橙红光的多色发射，发射中心波长从475nm可调节至600nm，发射范围涵盖400～750nm，量子效率可达到42.5％，使用400nm紫光作为激发时依然可以保持最强激发下发光强度的65％及以上，且并未被报道过。本发明荧光粉为铕/锰共掺杂的氧氟化物基光谱可调荧光粉，具备物理化学性质稳定的优势，该荧光粉可采用常规固相反应法制得，具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点，可为白光LED广泛应用的良好候选材料。
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公开(公告)号：CN116144357B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202211615460.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的绿光发射荧光2+粉及其制备方法与应用。其为紫外激发的Eu 掺杂的绿色荧光粉，属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑EuO体系，其中，A为Ca、Sr或Ba的一种或几种；B为Ga或In的一种或几种，其组分以各个氧化物的质量百分比为：20.41％≤AO≤41.2％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.48％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤EuO≤0.384％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，其发射波长包含435～650nm，属于宽带发射，可有效吸收200～480nm波长范围内的光，具有发射光谱范围宽的特点，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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公开(公告)号：CN116144357A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211615460.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的绿光发射荧光粉及其制备方法与应用。其为紫外激发的Eu2+掺杂的绿色荧光粉，属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑EuO体系，其中，A为Ca、Sr或Ba的一种或几种；B为Ga或In的一种或几种，其组分以各个氧化物的质量百分比为：20.41％≤AO≤41.2％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.48％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤EuO≤0.384％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，其发射波长包含435～650nm，属于宽带发射，可有效吸收200～480nm波长范围内的光，具有发射光谱范围宽的特点，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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