公开(公告)号：CN119286519A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411365118.4

申请日：2024-09-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  蒋广翔 ,  侯京山 ,  董浪平 ,  吴江华 ,  覃志宇 ,  赵国营 ,  孙智江

IPC: C09K11/75 ,  C09K11/79 ,  H10H20/851

Abstract: 本发明涉及一种紫光激发青光荧光粉及其制备方法与应用，所述青光发射荧光粉属于AO‑Si3N4‑Sb2O5‑EuO体系；其中，A包括Ca、Sr和Ba中的一种或几种；所述紫光激发青光荧光粉中各物质的摩尔比为AO：Si3N4：Sb2O5：EuO＝0.9‑0.95：0.57‑0.66：0.005‑0.1：0.025‑0.1。分别称取含A化合物、Si3N4、含Sb氧化物和含Eu氧化物为原料粉末，混合后研磨均匀，置于还原气氛中烧结，冷却至室温，得到所述紫光激发青光荧光粉。与现有技术相比，本发明可覆盖更广的发射光谱范围，满足目前白光LED领域对青光发射荧光材料的迫切需求。

公开(公告)号：CN113736463A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111110608.6

申请日：2021-09-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  侯京山 ,  覃志宇 ,  董浪平 ,  刘玉峰 ,  赵国营

IPC: C09K11/79 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的青光荧光粉及其制备方法与应用；该青光荧光粉属于BaO‑La2O3‑SiO2‑EuO体系，其中各个氧化物的质量百分比为：66.77％≤BaO≤66.93％，15.29％≤La2O3≤15.60％，17.44％≤SiO2≤17.48％，0.16％≤EuO≤0.48％。制备时按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，研磨完毕后将研磨好的原料装入氧化铝坩埚中，并将其埋入装有碳粉的氧化铝坩埚中，高温下还原烧结，得到紫光激发青光荧光粉。与现有技术相比，本发明获得的Eu2+离子掺杂硅酸钡盐体系荧光粉具有发射光谱范围宽的特点。

公开(公告)号：CN119286522A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411328270.5

申请日：2024-09-24

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  田玉珂 ,  侯京山 ,  蒋广翔 ,  董浪平 ,  吴江华 ,  覃志宇 ,  赵国营 ,  林燕丹 ,  周鹏程 ,  马显超 ,  张攀德

IPC: C09K11/79 ,  H10H20/851

Abstract: 本发明涉及一种紫光高吸收黄色荧光粉及其制备方法与应用，该紫光高吸收黄色荧光粉的化学表达式为(CaSrBa)2‑xSiO4:xEu2+，其中0.01≤x≤0.5。制备过程为：(1)按照计量比，称取含Ca化合物、含Sr化合物、含Ba化合物、含Si化合物和含Eu化合物，研磨混合均匀，放置于坩埚中；(2)将步骤(1)得到的粉末置于空气气氛中煅烧，冷却后得到前驱体；(3)将步骤(2)合成后的前驱体再次研磨均匀，置于还原气氛中烧结，冷却后得到所述的紫光高吸收黄色荧光粉。与现有技术相比，本发明以覆盖更广的发射光谱范围，且制备的黄色荧光粉物理与化学性能稳定，能够与紫光芯片相结合制成无眩光LED。

公开(公告)号：CN116004227B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202211615458.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  郑玉玲 ,  房永征 ,  董浪平 ,  赵国营 ,  覃志宇 ,  杨磊 ,  王安 ,  王传兵 ,  杨卫桥 ,  周晓萍 ,  林燕丹

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。

公开(公告)号：CN116004227A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211615458.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 侯京山 ,  郑玉玲 ,  房永征 ,  董浪平 ,  赵国营 ,  覃志宇 ,  杨磊 ,  王安 ,  王传兵 ,  杨卫桥 ,  周晓萍 ,  林燕丹

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。