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公开(公告)号：CN119286522A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411328270.5
申请日：2024-09-24
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/79 , H10H20/851
Abstract: 本发明涉及一种紫光高吸收黄色荧光粉及其制备方法与应用，该紫光高吸收黄色荧光粉的化学表达式为(CaSrBa)2‑xSiO4:xEu2+，其中0.01≤x≤0.5。制备过程为：(1)按照计量比，称取含Ca化合物、含Sr化合物、含Ba化合物、含Si化合物和含Eu化合物，研磨混合均匀，放置于坩埚中；(2)将步骤(1)得到的粉末置于空气气氛中煅烧，冷却后得到前驱体；(3)将步骤(2)合成后的前驱体再次研磨均匀，置于还原气氛中烧结，冷却后得到所述的紫光高吸收黄色荧光粉。与现有技术相比，本发明以覆盖更广的发射光谱范围，且制备的黄色荧光粉物理与化学性能稳定，能够与紫光芯片相结合制成无眩光LED。
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公开(公告)号：CN116004227B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211615458.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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公开(公告)号：CN116004227A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211615458.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系，其中，A为Ca、Sr和Ba的一种或几种；B为Ga和In的一种或几种，其组分以氧化物的质量百分比计为：20.44％≤AO≤44.86％，18.31％≤B2O3≤33.76％，20.29％≤SnO2≤30.88％，13.49％≤SiO2≤20.52％，0.11％≤Ce2O3≤0.468％。与现有技术相比，本发明荧光粉为氧化物基荧光粉，具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势，适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
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公开(公告)号：CN112094644A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010967352.X
申请日：2020-09-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu(Ⅱ)离子单掺单相全光谱荧光粉及其制备和应用，所述单相全光谱荧光粉的化学式为(Ca9‑xEux)MgK(PO4)7，其中x＝0.5％～5.0％，mol％。具体制备过程中包括：按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体，将前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到LED用单相全光谱荧光粉。与现有技术相比，本发明可涵盖420～800nm波段，且具备超宽连续光谱发射特定的全光谱白光解决方案；将制备的单相全光谱荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为95。
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公开(公告)号：CN118725865A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410799795.0
申请日：2024-06-20
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫光高响应绿光荧光材料，该荧光材料的化学表达式为Lu2SiO5:xEu2+，其中0.01≤x≤0.05。与现有技术相比，本发明荧光粉为宽激发绿色荧光粉，是一种全新的荧光材料，具备物理化学性质稳定的优势，同时，该荧光粉可采用常规固相反应法制得。本发明荧光粉可以与现有的紫光芯片进行很好地匹配，在400nm下激发下保持最佳发射强度的75％左右，发光性能优异，具有应用于紫光激发白光LED、紫光激发类太阳光LED、紫光激发全光谱LED等健康照明领域的巨大发展潜力。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN118792050A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410783267.6
申请日：2024-06-18
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/70 , H01L33/50 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其是涉及一种紫外、紫光或蓝光激发的青色荧光粉及其制备方法与应用。该青色荧光粉的化学式为LiHf2(PO4)3：xEu2+yMg2+，其中0
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公开(公告)号：CN112159659B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010966177.2
申请日：2020-09-15
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/71 , H01L33/50 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及一种高品质健康照明LED用单相全光谱荧光粉及其制备方法和应用，其分子式为(Ca19‑xEux)Zn2(PO4)14，所述单相全光谱荧光粉中各元素之间的摩尔比为：(Ca+Eu):Zn:(PO4)＝19:2:14，其中Ca:Eu＝(99:1)～(990:1)；具体制备过程中包括：按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体，将前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到LED用单相全光谱荧光粉。与现有技术相比，本发明能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖410‑800nm的全光谱白光；将本荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为94.1，色温为5341K；适用于高品质照明，全光谱照明，健康照明等领域。
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公开(公告)号：CN113549454A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110973168.0
申请日：2021-08-24
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种Eu(II)离子掺杂的单相全光谱发射荧光粉及其制备方法和应用。本发明的Eu2+离子掺杂的荧光粉的化学通式为：Ca9MgNa(PO4)7:xEu2+，其中，x为0.005‑0.02。该荧光粉的制备方法为：按照摩尔比称取荧光粉各原料粉体研磨均匀；然后将混合的原料粉体转移至坩埚中，在900～1100℃下烧结，得到荧光粉前驱体；称取前驱体与还原性金属粉末，分别放置于两个坩埚中，并将坩埚放置于真空管式炉中，在600～1000℃下还原4～8h。本发明可以得到光谱范围涵盖400～750nm可见光波段的全光谱发射荧光粉，还具有量子效率高、显色指数高、安全性高和无污染等优势。
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公开(公告)号：CN112159659A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010966177.2
申请日：2020-09-15
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/71 , H01L33/50 , F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明涉及一种高品质健康照明LED用单相全光谱荧光粉及其制备方法和应用，其分子式为(Ca19‑xEux)Zn2(PO4)14，所述单相全光谱荧光粉中各元素之间的摩尔比为：(Ca+Eu):Zn:(PO4)＝19:2:14，其中Ca:Eu＝(99:1)～(990:1)；具体制备过程中包括：按照计量比称取原料粉体，混合均匀，研磨，之后煅烧得到前驱体，将前驱体通过Al还原法进行还原烧结，实现荧光转换材料的全光谱发射调制，冷却，得到LED用单相全光谱荧光粉。与现有技术相比，本发明能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖410‑800nm的全光谱白光；将本荧光粉与375nm紫外芯片封装成LED器件，在30mA的电流驱动下进行点亮，光源的显色指数为94.1，色温为5341K；适用于高品质照明，全光谱照明，健康照明等领域。
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