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公开(公告)号：CN119440632A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411471669.9
申请日：2024-10-21
Applicant: 上海交通大学 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于边缘设备的大语言模型流水线推理架构，涉及大语言模型领域，本发明提出了一种内存高效的流水线执行机制，即PIPELOAD，针对其实际应用提出了Hermes架构由层分析器、流水线规划器和执行引擎三部分组成；层分析器是对给定的Transformer模型中的每一层进行分析，以评估其运行性能和内存使用情况；利用层分析器生成的数据，所述流水线规划器通过改变加载代理数量以生成在不同内存限制下的执行计划；在确定执行计划后，模型推理将根据边缘设备的当前的实际内存约束，在所述执行引擎中，遵从由流水线规划器生成的对应执行计划，按照该计划中的加载代理数量进行执行。本发明有效解决了流水线阻塞的问题和在边缘设备上部署大模型时内存受限的问题。
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公开(公告)号：CN119416866A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411471734.8
申请日：2024-10-21
Applicant: 上海交通大学 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06N3/098 , G06N3/082 , G06N3/0985 , G06F9/50 , H04L67/10 , H04L67/1097 , G06N5/01
Abstract: 本发明公开了一种基于无服务器架构的高效分布式机器学习训练系统，建模模块，用于获取输入的工作负载，以进行建模；资源配置模块，被配置有优化数学模型，用于在建模模块完成建模的基础之上，基于优化数学模型获取最优参数配置；优化数学模型建模无服务器分布式训练的双层参数以及系统级参数与训练延迟、成本和收敛效率之间的关系；K‑REDUCE训练框架，用于触发无服务器函数，无服务器函数依据K‑REDUCE框架进行分布式训练。本发明通过构建数学模型描述参数与性能之间的关系，采用基于剪枝的启发式搜索算法寻找最优参数配置，有效提高训练性能并降低经济成本，动态地调整系统资源，实现最优训练性能。
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公开(公告)号：CN119290952A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411202166.1
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明属于器件检测与定位技术领域，具体涉及一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统，旨在解决叠层封装半导体器件的缺陷难以定位的问题。本方法包括：获取失效的叠层封装半导体器件的结构参数、材料参数；若叠层封装半导体器件为陶瓷封装器件，制样后进行磨样，然后无损取出并施加激励信号，若为塑料封装器件，则直接施加激励信号；采集叠层封装半导体器件的侧面温度，确定缺陷在X轴‑Z轴平面的位置；构建温度‑时间序列，进行傅里叶变换后计算相位角，得到缺陷相位差‑频率关系；利用热传导算法，建立Y轴深度缺陷求解模型，并结合缺陷相位差‑频率关系，确定缺陷的位置。本发明提升了缺陷检测和定位准确率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117783812A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311465818.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/28 , H01L21/66 , G01R31/303 , G01R31/311
Abstract: 本发明公开了一种快速失效定位方法，包括：S1将热沉去除，使芯片露出；S2采用热锁相设备在芯片背面产生热斑，确定失效点的坐标，判断失效点是否位于基板内；当失效点位于基板内，进入步骤S5，否则，进入步骤S3；S3采用超声波扫描设备对失效点处进行扫描，判断失效点是否位于凸点区域；当位于凸点区域，进入步骤S4，否则进入步骤S6；S4采用CT设备确定凸点区域中失效点的具体位置；S5分离基板和芯片，对基板进行逐层研磨，确定基板中失效点的具体位置；S6分离基板和芯片，对芯片进行逐层研磨，确定芯片中失效点的具体位置。本发明适用于非气密的单芯片、2.5D多芯片陶瓷倒装器件失效分析，可显著提升失效分析的准确率和效率。
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公开(公告)号：CN103056500B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210516162.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。
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公开(公告)号：CN119984121A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510256784.2
申请日：2025-03-05
Applicant: 中国科学院声学研究所 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01B17/02
Abstract: 本发明提供一种超声测厚方法及设备。使用超声测厚设备向试件发射超声信号，获得回波信号，对回波信号进行基于软阈值的小波滤波处理，以及维纳反卷积滤波处理，再基于高信噪比信号计算自回归系数，通过自回归谱外推模型重建原始信号，最后根据重建后的信号中两个信号的时间差，计算得出被测件的厚度。通过本发明提供的信号处理方法，使用较低频率的换能器也能够清晰准确测量薄膜的厚度，有效的降低超声厚度测量系统的成本，满足工业环境下对薄膜材料厚度测量的需要。
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公开(公告)号：CN103056500A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210516162.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。
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公开(公告)号：CN218497077U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202221223822.2
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种倒装芯片失效分析工装，承载芯片的结构由正方形框架和可以滑动的支撑架组成，可承载不同尺寸的芯片，通过旋转螺丝夹紧支撑架从而固定芯片，承载结构下方有可移动且能旋转的支撑架，支撑架上方有可伸缩的探针，探针连接外部线路，通过移动和旋转支撑片可实现对倒装芯片所有引出端的连接。本实用新型失效分析倒装芯片测试工装体积小，加工制造方便，可装载不同尺寸和不同数量引出端的倒装芯片。
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