公开(公告)号：CN119290952A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411202166.1

申请日：2024-08-29

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 路文墨 ,  李冬梅 ,  孙健 ,  方朝阳 ,  英爽

IPC: G01N25/20 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明属于器件检测与定位技术领域，具体涉及一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统，旨在解决叠层封装半导体器件的缺陷难以定位的问题。本方法包括：获取失效的叠层封装半导体器件的结构参数、材料参数；若叠层封装半导体器件为陶瓷封装器件，制样后进行磨样，然后无损取出并施加激励信号，若为塑料封装器件，则直接施加激励信号；采集叠层封装半导体器件的侧面温度，确定缺陷在X轴‑Z轴平面的位置；构建温度‑时间序列，进行傅里叶变换后计算相位角，得到缺陷相位差‑频率关系；利用热传导算法，建立Y轴深度缺陷求解模型，并结合缺陷相位差‑频率关系，确定缺陷的位置。本发明提升了缺陷检测和定位准确率。

公开(公告)号：CN117783812A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311465818.6

申请日：2023-11-06

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 李冬梅 ,  路文墨 ,  方测宝 ,  孙健 ,  方朝阳

IPC: G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  G01R31/303 ,  G01R31/311

Abstract: 本发明公开了一种快速失效定位方法，包括：S1将热沉去除，使芯片露出；S2采用热锁相设备在芯片背面产生热斑，确定失效点的坐标，判断失效点是否位于基板内；当失效点位于基板内，进入步骤S5，否则，进入步骤S3；S3采用超声波扫描设备对失效点处进行扫描，判断失效点是否位于凸点区域；当位于凸点区域，进入步骤S4，否则进入步骤S6；S4采用CT设备确定凸点区域中失效点的具体位置；S5分离基板和芯片，对基板进行逐层研磨，确定基板中失效点的具体位置；S6分离基板和芯片，对芯片进行逐层研磨，确定芯片中失效点的具体位置。本发明适用于非气密的单芯片、2.5D多芯片陶瓷倒装器件失效分析，可显著提升失效分析的准确率和效率。

公开(公告)号：CN119984121A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510256784.2

申请日：2025-03-05

Applicant: 中国科学院声学研究所 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 梁昊 ,  李冬梅 ,  陈浩 ,  路文墨 ,  孟津霄

IPC: G01B17/02

Abstract: 本发明提供一种超声测厚方法及设备。使用超声测厚设备向试件发射超声信号，获得回波信号，对回波信号进行基于软阈值的小波滤波处理，以及维纳反卷积滤波处理，再基于高信噪比信号计算自回归系数，通过自回归谱外推模型重建原始信号，最后根据重建后的信号中两个信号的时间差，计算得出被测件的厚度。通过本发明提供的信号处理方法，使用较低频率的换能器也能够清晰准确测量薄膜的厚度，有效的降低超声厚度测量系统的成本，满足工业环境下对薄膜材料厚度测量的需要。