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公开(公告)号：CN116314238A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310065284.1
申请日：2023-01-13
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种基于OTFT电路驱动Micro‑LED显示的集成结构。所述基于OTFT电路驱动Micro‑LED显示的集成结构包括：衬底；Micro‑LED芯片，位于衬底上，包括沿垂直于衬底的方向依次叠置的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层和芯片阳极；第一封装层，覆盖衬底并包覆Micro‑LED芯片；OTFT显示驱动电路，位于第一封装层上，用于驱动Micro‑LED芯片显示成像，OTFT显示驱动电路与Micro‑LED芯片错开设置或者OTFT显示驱动电路与Micro‑LED芯片对准设置，且OTFT显示驱动电路的制程温度低于200℃；第二封装层，至少包覆OTFT显示驱动电路；OTFT显示驱动电路的全部工艺采用单片集成的方式直接制备于第一封装层之上。本发明有利于实现高良率、低成本的Micro‑LED的有源矩阵驱动。
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公开(公告)号：CN115096965A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210606517.X
申请日：2022-05-31
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供的薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片包括：衬底；像素阵列，包括多个参比电极和多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管上方的敏感电极，所述薄膜晶体管的底栅电极电连接所述敏感电极，所述敏感电极表面具有修饰层，多个所述参比电极与多行所述像素单元一一对应；多条行选信号线，分别与多个所述参比电极电连接；多条列读取信号线；多条公共电极线；多个隔离墙，位于所述封装层上方，每个所述隔离墙包围一隔离区域，所述隔离区域连续暴露一行所述像素单元中所有的所述敏感电极和一个所述参比电极。本发明有利于提高芯片集成度，并减少串扰和功耗。
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公开(公告)号：CN114613748A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210174290.6
申请日：2022-02-24
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L23/538 , H01L25/00 , H01L27/12 , H01L21/768 , H01L21/84
摘要： 本发明提供的有源面板级扇出型封装结构包括：衬底；有源薄膜晶体管接口电路层，位于所述衬底顶面，包括有源薄膜晶体管接口电路；互连层，位于所述有源薄膜晶体管接口电路层上且电连接所述有源薄膜晶体管接口电路；顶层外设器件，位于所述互连层上且电连接所述互连层；顶层芯片晶粒，位于所述互连层上且电连接所述互连层，所述顶层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片；底层外设器件，位于所述衬底底面且电连接所述互连层；底层芯片晶粒，位于所述衬底底面且电连接所述互连层，所述底层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片。本发明实现了对待封装硅基芯片进行功能扩展。
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公开(公告)号：CN111537565B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010228734.0
申请日：2020-03-27
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明提供一种化学传感器定量检测结果预测模型形成方法及检测方法，所述化学传感器定量检测结果预测模型形成方法包括如下步骤：采集目标分析物在不同浓度下的传感器响应数据；根据传感器响应数据获取序列样本集，序列样本集包括多个序列样本组及其标签，标签为序列样本组对应的浓度值；对序列样本集进行数据增强处理，以扩充序列样本集；使用循环神经网络获取扩充后的序列样本集的第一类型特征；提取扩充后的序列样本集的第二类型特征；将第一类型特征及第二类型特征输入多层感知机，以训练形成化学传感器定量检测结果预测模型。本发明利用较少测量数据即可建立浓度与瞬态响应特征之间的关系，处理简单，大大提高了化学传感器定量检测的速度。
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公开(公告)号：CN114035711A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111230678.5
申请日：2021-10-22
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明涉及一种外触发触控传感阵列及其制备方法。外触发触控传感阵列包括：衬底；双栅薄膜晶体管阵列，位于衬底表面，包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管；下隔离柱，位于双栅薄膜晶体管阵列背离衬底的表面；底层柔性防静电薄膜，位于下隔离柱上方，且底层柔性防静电薄膜朝向下隔离柱的底面具有共面电极、底层柔性防静电薄膜背离下隔离柱的顶面具有触发电极，触发电极为叉指电极，叉指电极的第一部分连接至触发行、第二部分连接至触发列；上隔离柱，位于触发电极背离衬底的表面；顶层柔性防静电薄膜，位于上隔离柱上方，顶层柔性防静电薄膜朝向上隔离柱的底面具有共面顶电极。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN112111050B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010923463.0
申请日：2020-09-04
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种含噻唑并噻唑单元的聚合物，其具有如下所述的结构式：所述的聚合物为基于2,5‑双(3‑((2‑乙基己基)噻吩‑2‑基)噻唑并[5，4‑d]噻唑(CTZ)的聚合物。所述聚合物具有良好的溶解性，较好的热稳定性以及空气稳定性，所述聚合物失重5％的温度达284℃。载流子迁移率达到了该类型分子的最高水平，其氮气条件下，空穴迁移率达到2.3cm2V‑1s‑1；空气条件下，其迁移率达到1.5cm2V‑1s‑1。并且，该聚合物的合成处理简单高效利于大量制备。可广泛应用于有机太阳能电池、有机光电晶体管及有机场效应晶体管等领域，具有潜在的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN110137203B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910370969.0
申请日：2019-05-06
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L27/28
摘要： 本发明提供了一种像素传感结构、传感装置及像素传感结构的形成方法。所述像素传感结构包括：衬底；第一晶体管，位于所述衬底表面，包括第一源电极、第一漏电极、第一有源层、第一顶栅电极和第一漏极金属层；所述第一晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管或者非晶氧化物薄膜晶体管；第二晶体管，位于所述衬底表面，包括第二源电极、所述第一漏极金属层、第二底栅电极、第二顶栅电极和第二有源层；所述第二底栅电极与所述第一顶栅电极同层设置；所述第二有源层位于所述第二源电极与所述第一漏极金属层之间；所述第一漏极金属层与所述第一漏电极电连接。本发明提高了像素传感结构的开关速度，有效改善了传感装置的性能。
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公开(公告)号：CN111811700A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010527954.3
申请日：2020-06-11
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： G01L1/16
摘要： 本发明涉及一种压力传感器、压力传感装置及其制备方法。所述压力传感器包括：衬底；薄膜晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层；压力敏感薄膜，位于所述半导体层表面；下触发电极，位于所述压力敏感薄膜背离所述半导体层的表面；隔离柱，位于所述下触发电极背离所述压力敏感薄膜的表面；柔性防静电薄膜，位于所述隔离柱上方；上触发电极，位于所述柔性防静电薄膜朝向所述下触发电极的表面。由本发明提供的压力传感器组成的压力传感装置能够提高读取速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN106349489B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201610705578.6
申请日：2016-08-22
申请人： 上海交通大学
摘要： 本发明公开了一种聚甲基丙烯酸类材料及其制备方法和用途；所述聚甲基丙烯酸类材料包括聚甲基丙烯酸酯和光敏性引发交联剂；所述聚甲基丙烯酸酯和光敏性引发交联剂的质量比为20～10:1。该材料采用一种新型的交联方式，仅需简单的混合，薄膜在紫外辐射下,光敏性引发交联剂产生自由基，这些自由基从高分子的烷基中提夺氢，形成新的自由基，再通过自由基耦合形成交联网络，得到具有抗溶剂性的交联材料。这种交联方式无须预先对高分子进行功能化，实现了在常温、无金属催化剂和无副产物的条件下制备交联的聚甲基丙烯酸酯类材料，制备工艺简单，所得材料绝缘性能优异，适合通过溶液法制备各种OFETs器件，应用前景十分广泛。
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