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公开(公告)号：CN116314213A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310512186.8
申请日：2023-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/12 , H10K19/00 , H10K19/10 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。本发明提高了半导体结构的集成度。
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公开(公告)号：CN115096965A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210606517.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供的薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片包括：衬底；像素阵列，包括多个参比电极和多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管上方的敏感电极，所述薄膜晶体管的底栅电极电连接所述敏感电极，所述敏感电极表面具有修饰层，多个所述参比电极与多行所述像素单元一一对应；多条行选信号线，分别与多个所述参比电极电连接；多条列读取信号线；多条公共电极线；多个隔离墙，位于所述封装层上方，每个所述隔离墙包围一隔离区域，所述隔离区域连续暴露一行所述像素单元中所有的所述敏感电极和一个所述参比电极。本发明有利于提高芯片集成度，并减少串扰和功耗。
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公开(公告)号：CN114613748A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210174290.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/538 , H01L25/00 , H01L27/12 , H01L21/768 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供的有源面板级扇出型封装结构包括：衬底；有源薄膜晶体管接口电路层，位于所述衬底顶面，包括有源薄膜晶体管接口电路；互连层，位于所述有源薄膜晶体管接口电路层上且电连接所述有源薄膜晶体管接口电路；顶层外设器件，位于所述互连层上且电连接所述互连层；顶层芯片晶粒，位于所述互连层上且电连接所述互连层，所述顶层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片；底层外设器件，位于所述衬底底面且电连接所述互连层；底层芯片晶粒，位于所述衬底底面且电连接所述互连层，所述底层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片。本发明实现了对待封装硅基芯片进行功能扩展。
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公开(公告)号：CN112111050B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010923463.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种含噻唑并噻唑单元的聚合物，其具有如下所述的结构式：所述的聚合物为基于2,5‑双(3‑((2‑乙基己基)噻吩‑2‑基)噻唑并[5，4‑d]噻唑(CTZ)的聚合物。所述聚合物具有良好的溶解性，较好的热稳定性以及空气稳定性，所述聚合物失重5％的温度达284℃。载流子迁移率达到了该类型分子的最高水平，其氮气条件下，空穴迁移率达到2.3cm2V‑1s‑1；空气条件下，其迁移率达到1.5cm2V‑1s‑1。并且，该聚合物的合成处理简单高效利于大量制备。可广泛应用于有机太阳能电池、有机光电晶体管及有机场效应晶体管等领域，具有潜在的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN115096965B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210606517.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供的薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片包括：衬底；像素阵列，包括多个参比电极和多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管上方的敏感电极，所述薄膜晶体管的底栅电极电连接所述敏感电极，所述敏感电极表面具有修饰层，多个所述参比电极与多行所述像素单元一一对应；多条行选信号线，分别与多个所述参比电极电连接；多条列读取信号线；多条公共电极线；多个隔离墙，位于所述封装层上方，每个所述隔离墙包围一隔离区域，所述隔离区域连续暴露一行所述像素单元中所有的所述敏感电极和一个所述参比电极。本发明有利于提高芯片集成度，并减少串扰和功耗。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112111050A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010923463.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种含噻唑并噻唑单元的聚合物，其具有如下所述的结构式： 所述的聚合物为基于2,5‑双(3‑((2‑乙基己基)噻吩‑2‑基)噻唑并[5，4‑d]噻唑(CTZ)的聚合物。所述聚合物具有良好的溶解性，较好的热稳定性以及空气稳定性，所述聚合物失重5％的温度达284℃。载流子迁移率达到了该类型分子的最高水平，其氮气条件下，空穴迁移率达到2.3cm2V‑1s‑1；空气条件下，其迁移率达到1.5cm2V‑1s‑1。并且，该聚合物的合成处理简单高效利于大量制备。可广泛应用于有机太阳能电池、有机光电晶体管及有机场效应晶体管等领域，具有潜在的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN111961194A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010801937.4
申请日：2020-08-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种含联二炔基的交联空穴传输材料及其制备方法与用途，属于有机光电技术领域；所述空穴传输材料以4，4，-双(N-咔唑)-1，1，-联苯为母核，联二炔为交联基团的聚合物空穴传输材料。该材料在联二炔基聚合物在紫外光或加热的条件下发生自由基偶合反应，形成三维网络结构实现材料交联，得到具有抗溶剂性的交联材料，实现全溶液法制备发光器件。这种光交联方法不需要加入引发剂或催化剂，反应温度低、交联时间较短、反应过程无副产物、以及交联前后对空穴传输材料的电学及光学性质影响较小。本发明所得的交联空穴传输材料适合溶液法制备有机电致发光显示器件，在溶液法制备有机电子领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111785745A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010527767.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/30
Abstract: 本发明涉及一种光传感器、光传感装置及其制备方法。所述光传感器包括：衬底；光电晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖于所述源电极和所述漏电极表面的光敏半导体层；第一透明钝化层，位于所述衬底表面且包覆所述光电晶体管；薄膜光敏器件，位于所述第一透明钝化层表面、且与所述光电晶体管错位设置，所述薄膜光敏器件包括位于所述第一透明钝化层表面的下触发电极、位于所述下触发电极表面的光敏功能层、以及位于所述光敏功能层表面的上触发电极；第二透明钝化层，位于所述第一透明钝化层表面且包覆所述薄膜光敏器件。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN117783245A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311777758.1
申请日：2023-12-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/414 , H01L27/12 , H01L21/77 , G01N33/543
Abstract: 本发明涉及用于生化检测的薄膜晶体管生物芯片及其形成方法。所述用于生化检测的薄膜晶体管生物芯片包括：衬底；信号处理结构，沿第一方向位于所述衬底的顶面上，所述信号处理结构包括薄膜晶体管电路，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面；前端传感器，沿所述第一方向集成于所述信号处理结构上方，且所述前端传感器与所述薄膜晶体管电路电连接；封装层，覆盖所述信号处理结构的表面，且所述封装层中具有开口，所述前端传感器位于所述开口内。本发明实现了高灵敏度的传感性能，克服了传统的薄膜晶体管系统不能直接与待测溶液接触来进行生化检测的问题。
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