离子敏感薄膜晶体管及生物传感芯片

    公开(公告)号:CN116936640A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310821343.3

    申请日:2023-07-06

    发明人: 唐伟 郭小军

    摘要: 本发明提供一种离子敏感薄膜晶体管及生物传感芯片,晶体管由下而上依次包括:衬底;第一栅电极;第一栅绝缘层;半导体层;第二栅绝缘层;源漏极,第二栅电极;第二栅极接触电极;第一栅电极、第一栅绝缘层、源漏电极和半导体层构成底栅晶体管,作为开关器件;源漏电极、半导体层、第二栅绝缘层、第二栅电极和第二栅极接触电极构成顶栅晶体管,作为离子敏感元件,第二栅绝缘层采用刻蚀阻挡层;顶栅晶体管和底栅晶体管构成双栅结构的离子敏感薄膜晶体管。本发明能够提高顶栅/底栅电容耦合比,显著提高离子敏感场效应晶体管对离子响应的灵敏度,实现对低浓度目标核酸序列的快速分析。

    薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN115096965B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202210606517.X

    申请日:2022-05-31

    IPC分类号: G01N27/30 H01L27/12 H01L21/77

    摘要: 本发明提供的薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片包括:衬底;像素阵列,包括多个参比电极和多个像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管上方的敏感电极,所述薄膜晶体管的底栅电极电连接所述敏感电极,所述敏感电极表面具有修饰层,多个所述参比电极与多行所述像素单元一一对应;多条行选信号线,分别与多个所述参比电极电连接;多条列读取信号线;多条公共电极线;多个隔离墙,位于所述封装层上方,每个所述隔离墙包围一隔离区域,所述隔离区域连续暴露一行所述像素单元中所有的所述敏感电极和一个所述参比电极。本发明有利于提高芯片集成度,并减少串扰和功耗。

    一种基于有机晶体管微阵列的气体和生物分子传感芯片

    公开(公告)号:CN115112743A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210796636.6

    申请日:2022-07-06

    摘要: 本发明涉及传感电路技术领域,尤其公开了一种基于有机晶体管微阵列的气体和生物分子传感芯片,包括集成在同一芯片上的有机电化学晶体管(简称OECT)气体分子传感像素单元、OECT生物分子传感像素单元、pH传感像素单元、温度传感像素单元,所述上述像素单元包括开关晶体管;覆盖所述第一有机半导体层的第一封装层;覆盖于第一封装层的防水层;所述OECT气体分子传感像素单元、OECT生物分子传感像素单元还包括有机电化学晶体管。本发明具有的有益效果是:实现了在同一基底上OFET与OECT的异质集成,并结合温度、pH值,对多种气体分子、生物分子进行检测,提高了检测精度。

    集成信号处理电路的传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112964944B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110123980.4

    申请日:2021-01-29

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种集成信号处理电路的传感器及其制备方法。所述集成信号处理电路的传感器包括:第一衬底,所述第一衬底的上表面具有敏感元件;第二衬底,所述第二衬底的上表面具有由薄膜晶体管构建的信号处理电路;粘结层,位于所述第一衬底和所述第二衬底之间,用于粘结所述第一衬底的下表面与所述第二衬底的上表面或者用于粘结所述第一衬底的下表面与所述第二衬底的下表面;互连线,至少贯穿所述第一衬底和所述粘结层,用于电连接所述敏感元件与所述信号处理电路。本发明在解决了工艺兼容性问题的同时,提高集成度、信噪比并降低成本。

    一种纤维状的柔性固态银/氯化银参比电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113433183A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110557182.2

    申请日:2021-05-21

    IPC分类号: G01N27/30

    摘要: 本发明公开了一种纤维状的柔性固态银/氯化银参比电极及其制备方法和应用,涉及柔性传感器领域,所述参比电极包括柔性纤维状的导电基底、设置在所述柔性纤维状的导电基底上的银/氯化银层、涂覆在所述银/氯化银层表面的固体电解质层、设置在所述固体电解质层表面的阳离子交换膜层。本发明的参比电极易制备、成本低,在保有高稳定性的同时,兼具纤维的柔性,弯曲能力强,可以轻易编入织物,与纤维状的生物电极组成传感系统。

    有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片

    公开(公告)号:CN110137204B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201910402350.3

    申请日:2019-05-15

    IPC分类号: H01L27/28 H01L27/30

    摘要: 本发明涉及传感技术领域,尤其涉及一种有机薄膜晶体管型传感像素电路及微阵列芯片。所述有机薄膜晶体管型传感像素电路包括像素单元,所述像素单元包括:衬底;同层设置的第一底栅电极和第二底栅电极;覆盖所述第一底栅电极和第二底栅电极的底栅绝缘层;同层设置的第一源极、公共电极、第二源极,且所述公共电极位于所述第一源极与所述第二源极之间;第一有机半导体层;第二有机半导体层;覆盖所述第一有机半导体层和第二有机半导体层的顶栅绝缘层,且所述顶栅绝缘层的电容值大于所述底栅绝缘层;同层设置于的第一顶栅电极和第二顶栅电极。本发明不仅便于调控有机薄膜晶体管的阈值电压,而且有利于提升传感微阵列中传感器的灵敏度。

    有机薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110098329A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910370968.6

    申请日:2019-05-06

    IPC分类号: H01L51/05 H01L51/40

    摘要: 本发明涉及有机电子器件技术领域,尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。所述有机薄膜晶体管,包括:衬底;第一栅极,位于所述衬底表面;第一栅绝缘层,位于所述衬底表面且覆盖所述第一栅极;源极,位于所述第一栅绝缘层表面;漏极,位于所述第一栅绝缘层表面;掺杂有机半导体层,至少覆盖所述源极、所述漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区域;第二栅绝缘层,覆盖于所述掺杂有机半导体层表面;第二栅极,位于所述第二栅绝缘层表面。本发明在保证有机薄膜晶体管具备低接触电阻的同时,能够实现对阈值电压的调控。

    一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构

    公开(公告)号:CN102832344B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201210316399.5

    申请日:2012-08-30

    IPC分类号: H01L51/05 H01L51/10 H01L27/28

    摘要: 一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构,其中基本单元晶体管为底栅底接触结构,所述互联、封装结构包括有绝缘衬底、器件互联层、栅电极、栅极绝缘层、源漏电极、半导体层、缓冲层和封装层,其中,绝缘衬底位于所述互联、封装结构的底层,器件互联层位于绝缘衬底之上,栅电极位于器件互联层之上,栅极绝缘层覆盖器件互联层和栅电极,源漏电极位于栅极绝缘层之上,半导体层覆盖源漏电极电极之间的沟道区域,缓冲层覆盖栅极绝缘层、源漏电极和半导体层,封装层位于缓冲层之上且在整个互联、封装结构的顶层。本发明采用全溶液法制备,极大地节约了成本,同时具有散热性好、半导体层得到充分保护以及底栅底接触结构晶体管易于集成的优点。