公开(公告)号：CN103819684A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410053643.2

申请日：2014-02-17

申请人： 上海交通大学

发明人： 李胜夏 ,  冯林润 ,  张清 ,  郭小军

IPC分类号： C08G81/02 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08J3/24 ,  H01L51/30

摘要： 本发明提供了一种热交联的聚苯乙烯聚合物及其制备方法、用途；所述聚合物的结构如式（I）所示：（I）。本发明还涉及前述的聚苯乙烯聚合物的制备方法及用途。本发明的热交联聚苯乙烯聚合物首次引入加热条件下叠氮-炔的成环反应作为交联方式，实现了在较低温度、无金属催化剂和无添加交联剂的条件下制备交联的聚苯乙烯聚合物，制备工艺简单，所得材料性能优异，适合通过溶液法制备各种OFETs器件，应用前景十分广泛。

公开(公告)号：CN103413891A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310370777.2

申请日：2013-08-22

申请人： 上海交通大学

发明人： 唐伟 ,  郭小军 ,  冯林润 ,  赵家庆 ,  徐小丽 ,  蒋琛

IPC分类号： H01L51/40

摘要： 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN102891255A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210398578.8

申请日：2012-10-18

申请人： 上海交通大学

发明人： 冯林润 ,  唐伟 ,  陈苏杰 ,  徐小丽 ,  郭小军

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜晶体管的绝缘层及其制备方法，所述柔性薄膜晶体管的绝缘层为在基板上形成的碳氢聚合物的薄膜，该绝缘层的制备方法采用氢气和乙炔气体作为原料，在室温和真空条件下的PECVD系统中于所述基板之上沉积形成碳氢聚合物的薄膜，完成柔性薄膜晶体管的绝缘层的制备。本发明所述绝缘层具有良好的绝缘性能以及较高的电击穿强度，在室温条件下的制备方法使其能够很好地与柔性基板兼容，可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来加工，本发明能够用于柔性薄膜晶体管的制备，进一步促进了柔性电子的发展。

公开(公告)号：CN102881827A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210382839.7

申请日：2012-10-10

申请人： 上海交通大学

发明人： 冯林润 ,  唐伟 ,  徐小丽 ,  邵宪一 ,  郭小军

IPC分类号： H01L51/40 ,  B41M5/00

摘要： 一种用于溶液法小分子有机薄膜晶体管的接触式印刷工艺，其采用由控制系统控制的进样器靠近和对准位于基板上两电极之间的沟道区域，并且进样器精确地完成半导体墨水出墨，实现有机小分子半导体的沉积；所述工艺包括如下步骤：1)进样器靠近和对准，2)半导体墨水出墨，3)完成有机小分子半导体的制备。本发明最大限度减缓了半导体墨水材料中溶剂的挥发速度，有利于小分子半导体的结晶，能够更好的和现有硅基电子工艺兼容，促进溶液法小分子有机薄膜晶体管的工艺可行性，具有节约成本、改善器件性能的优点，能够有效应用于有机小分子半导体的加工。

公开(公告)号：CN103413891B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310370777.2

申请日：2013-08-22

申请人： 上海交通大学

发明人： 唐伟 ,  郭小军 ,  冯林润 ,  赵家庆 ,  徐小丽 ,  蒋琛

IPC分类号： H01L51/40

摘要： 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN106129001A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610644886.2

申请日：2016-08-09

申请人： 上海交通大学

发明人： 郭小军 ,  丁立 ,  冯林润 ,  陈苏杰 ,  唐伟 ,  赵家庆 ,  黄钰坤 ,  李乔峰

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L27/1292 ,  H01L27/1222 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0512

摘要： 本发明公开了一种阵列背板电路及其制备方法，所述阵列背板电路由驱动信号总线、数据信号总线、接地总线和若干单元电路组成，每一单元电路的结构包括：绝缘衬底、栅电极、共用电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、电极修饰材料、有机半导体层、层间绝缘膜、下层像素电极、显示材料和上层像素电极；所述的制备方法通过全溶液法实现所述阵列背板电路的器件的全部制作过程，按照加法工艺流程采用喷墨打印方法依次打印该阵列背板电路的各功能层，同时实现薄膜的图形化和过孔结构。本发明具有工艺简便、材料节省、滴定精确、易于大面积集成等优点，大大降低了设备和生产成本。

公开(公告)号：CN104804124A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510179443.6

申请日：2015-04-15

申请人： 上海交通大学

发明人： 李胜夏 ,  冯林润 ,  赵家庆 ,  郭小军 ,  张清

IPC分类号： C08F220/14 ,  C08F230/08 ,  C08F220/34 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  H01L51/30

摘要： 本发明涉及两种热交联双官能团功能化的聚合物绝缘层材料、制备方法及用途。所述热交联双官能团功能化的聚合物结构式分别如下：本发明还涉及所述热交联双官能团功能化的聚合物绝缘层材料的制备方法以及其作为栅极绝缘层在有机场效应晶体管中的用途。本发明的热交联双官能团功能化的聚合物绝缘层材料将叠氮基团和炔键引入到聚合物主链上并在加热条件下通过叠氮-炔的成环反应实现交联，从而在较低温度、无金属催化剂和无添加交联剂的条件下得到了交联的聚合物绝缘层材料，制备工艺简单，所得材料具有很好的溶剂正交性且性能优异，适合通过溶液法制备各种OFETs器件，应用前景十分广泛。

公开(公告)号：CN103050626A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210525390.5

申请日：2012-12-07

申请人： 上海交通大学

发明人： 邵宪一 ,  冯林润 ,  唐伟 ,  李思莹 ,  郭小军

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

摘要： 一种溶液法电解质薄膜晶体管及其制备方法，该电解质薄膜晶体管为顶栅顶接触结构，包括绝缘衬底、半导体层、电解质绝缘层、源电极、漏电极和栅电极；其中，绝缘衬底位于电解质薄膜晶体管的最底层，半导体层位于绝缘衬底之上，电解质绝缘层覆盖于半导体层的部分上表面之上，源电极和漏电极分别制备在电解质绝缘层两侧的半导体层上并被电解质绝缘层隔开，栅电极制备在电解质绝缘层上；所述制备方法通过图案化光交联处理，并使用溶剂将部分电解质绝缘层处理掉，再进行单次真空蒸镀，利用表面高度差同时分别形成栅极、源极和漏极。本发明实现了低开态电压和大工作电流，并简化了加工工艺，降低了成本，适用于低成本的柔性电子技术。

公开(公告)号：CN102832344A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210316399.5

申请日：2012-08-30

申请人： 上海交通大学

发明人： 郭小军 ,  冯林润 ,  崔晴宇 ,  徐小丽 ,  唐伟

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L27/28

摘要： 一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构，其中基本单元晶体管为底栅底接触结构，所述互联、封装结构包括有绝缘衬底、器件互联层、栅电极、栅极绝缘层、源漏电极、半导体层、缓冲层和封装层，其中，绝缘衬底位于所述互联、封装结构的底层，器件互联层位于绝缘衬底之上，栅电极位于器件互联层之上，栅极绝缘层覆盖器件互联层和栅电极，源漏电极位于栅极绝缘层之上，半导体层覆盖源漏电极电极之间的沟道区域，缓冲层覆盖栅极绝缘层、源漏电极和半导体层，封装层位于缓冲层之上且在整个互联、封装结构的顶层。本发明采用全溶液法制备，极大地节约了成本，同时具有散热性好、半导体层得到充分保护以及底栅底接触结构晶体管易于集成的优点。

公开(公告)号：CN105098076B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201510335120.1

申请日：2015-06-16

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  上海交通大学

发明人： 黄维 ,  赵家庆 ,  唐伟 ,  冯林润 ,  郭小军

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/107 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/303

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。