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公开(公告)号：CN103413891B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310370777.2
申请日：2013-08-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。
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公开(公告)号：CN102832344A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316399.5
申请日：2012-08-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构，其中基本单元晶体管为底栅底接触结构，所述互联、封装结构包括有绝缘衬底、器件互联层、栅电极、栅极绝缘层、源漏电极、半导体层、缓冲层和封装层，其中，绝缘衬底位于所述互联、封装结构的底层，器件互联层位于绝缘衬底之上，栅电极位于器件互联层之上，栅极绝缘层覆盖器件互联层和栅电极，源漏电极位于栅极绝缘层之上，半导体层覆盖源漏电极电极之间的沟道区域，缓冲层覆盖栅极绝缘层、源漏电极和半导体层，封装层位于缓冲层之上且在整个互联、封装结构的顶层。本发明采用全溶液法制备，极大地节约了成本，同时具有散热性好、半导体层得到充分保护以及底栅底接触结构晶体管易于集成的优点。
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公开(公告)号：CN101937647B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010270527.8
申请日：2010-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种有机发光二极管技术领域的互补驱动式像素电路，包括：一个有机发光二极管和一个驱动电路，其中：有机发光二极管的阳极与电源相连，阴极与驱动电路的输出端相连并获得驱动电流。本发明不仅能解决三维AMOLED中电压式驱动像素电路的驱动TFT的阈值电压漂移的问题，还能使OLED由并联的两个驱动TFT周期性轮流供电，使驱动TFT的工作时间减半，从而延长了TFT的使用寿命，最终可达到延长AMOLED寿命的效果。
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公开(公告)号：CN103177688B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310044563.6
申请日：2013-02-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种基于AMOLED面板一维分区策略动态调整供电电压的方法，其特征在于，将所述AMOLED面板在一维方向上分成若干个区，对各区内的供电电压根据区内显示图像的灰度信息分别进行调整，同时根据驱动晶体管的输出特性曲线及对应灰度的电流对灰度信号电压进行补偿。本发明不仅有利于匹配图像信息并实现了AMOLED面板功耗的降低，而且有利于连接外围供电芯片和实际电路的实现，同时根据灰度-电流信息以及驱动晶体管的输出特性曲线对信号电压作出了补偿，从而保证了显示图像的质量。
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公开(公告)号：CN102832344B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210316399.5
申请日：2012-08-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种用于实现印刷柔性集成电路的互联、封装结构，其中基本单元晶体管为底栅底接触结构，所述互联、封装结构包括有绝缘衬底、器件互联层、栅电极、栅极绝缘层、源漏电极、半导体层、缓冲层和封装层，其中，绝缘衬底位于所述互联、封装结构的底层，器件互联层位于绝缘衬底之上，栅电极位于器件互联层之上，栅极绝缘层覆盖器件互联层和栅电极，源漏电极位于栅极绝缘层之上，半导体层覆盖源漏电极电极之间的沟道区域，缓冲层覆盖栅极绝缘层、源漏电极和半导体层，封装层位于缓冲层之上且在整个互联、封装结构的顶层。本发明采用全溶液法制备，极大地节约了成本，同时具有散热性好、半导体层得到充分保护以及底栅底接触结构晶体管易于集成的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610756B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201210091404.7
申请日：2012-03-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种溶液法低电压高性能有机薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、电极修饰材料和有机半导体层，其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极和栅极绝缘层自下而上地依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分离地位于栅极绝缘层之上，电极修饰材料分别包覆在该源电极和漏电极的表面上，有机半导体层覆盖在栅极绝缘层和电极修饰材料之上且位于有机薄膜晶体管的最顶层。本发明选择合适的材料体系和工艺，不受限于绝缘层的厚度和介电常数，通过降低器件的亚阈值摆幅来得到低电压(2V)的溶液法有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN103177688A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310044563.6
申请日：2013-02-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种基于AMOLED面板一维分区策略动态调整供电电压的方法，其特征在于，将所述AMOLED面板在一维方向上分成若干个区，对各区内的供电电压根据区内显示图像的灰度信息分别进行调整，同时根据驱动晶体管的输出特性曲线及对应灰度的电流对灰度信号电压进行补偿。本发明不仅有利于匹配图像信息并实现了AMOLED面板功耗的降低，而且有利于连接外围供电芯片和实际电路的实现，同时根据灰度-电流信息以及驱动晶体管的输出特性曲线对信号电压作出了补偿，从而保证了显示图像的质量。
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公开(公告)号：CN102931350A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210472647.5
申请日：2012-11-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法，属于柔性电子技术领域。所述晶体管为堆叠结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、n型无机半导体层、源/漏电极、电极修饰材料和P型有机半导体层；所述制备方法包括：首先在绝缘衬底上制备栅电极，其次在栅电极上制备栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上制备n型无机半导体，接着在n型无机半导体上分离地制备源/漏电极，继续在源/漏电极表面修饰电极修饰材料，最后在n型无机半导体和电极修饰材料上制备P型有机半导体层。本发明具有良好的工艺兼容性和冗余度，适用于柔性电子中的互补性逻辑电路。
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公开(公告)号：CN102664154A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210162611.7
申请日：2012-05-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种用于金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装方法，通过溶液法工艺对所述薄膜晶体管进行封装，其在常规的金属氧化物半导体薄膜晶体管制备工艺工序之后，采用旋涂、喷涂、滴涂、丝网印刷或提拉法在所述薄膜晶体管的金属氧化物有源层、源电极和漏电极上制备器件保护层，成膜后进行退火。本发明不会对金属氧化物有源层产生破坏，在提高器件稳定性的同时不会损坏器件的电学性能，同时节约了封装成本，适用于在柔性衬底上制备的金属氧化物半导体薄膜晶体管的封装。
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公开(公告)号：CN101937647A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010270527.8
申请日：2010-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种有机发光二极管技术领域的互补驱动式像素电路，包括：一个有机发光二极管和一个驱动电路，其中：有机发光二极管的阳极与电源相连，阴极与驱动电路的输出端相连并获得驱动电流。本发明不仅能解决三维AMOLED中电压式驱动像素电路的驱动TFT的阈值电压漂移的问题，还能使OLED由并联的两个驱动TFT周期性轮流供电，使驱动TFT的工作时间减半，从而延长了TFT的使用寿命，最终可达到延长AMOLED寿命的效果。
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