公开(公告)号：CN103413891A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310370777.2

申请日：2013-08-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 唐伟 ,  郭小军 ,  冯林润 ,  赵家庆 ,  徐小丽 ,  蒋琛

IPC: H01L51/40

Abstract: 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN103177688B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310044563.6

申请日：2013-02-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 崔晴宇 ,  蒋琛 ,  姚广宇 ,  徐小丽 ,  郭小军

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种基于AMOLED面板一维分区策略动态调整供电电压的方法，其特征在于，将所述AMOLED面板在一维方向上分成若干个区，对各区内的供电电压根据区内显示图像的灰度信息分别进行调整，同时根据驱动晶体管的输出特性曲线及对应灰度的电流对灰度信号电压进行补偿。本发明不仅有利于匹配图像信息并实现了AMOLED面板功耗的降低，而且有利于连接外围供电芯片和实际电路的实现，同时根据灰度-电流信息以及驱动晶体管的输出特性曲线对信号电压作出了补偿，从而保证了显示图像的质量。

公开(公告)号：CN103177688A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310044563.6

申请日：2013-02-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 崔晴宇 ,  蒋琛 ,  姚广宇 ,  徐小丽 ,  郭小军

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种基于AMOLED面板一维分区策略动态调整供电电压的方法，其特征在于，将所述AMOLED面板在一维方向上分成若干个区，对各区内的供电电压根据区内显示图像的灰度信息分别进行调整，同时根据驱动晶体管的输出特性曲线及对应灰度的电流对灰度信号电压进行补偿。本发明不仅有利于匹配图像信息并实现了AMOLED面板功耗的降低，而且有利于连接外围供电芯片和实际电路的实现，同时根据灰度-电流信息以及驱动晶体管的输出特性曲线对信号电压作出了补偿，从而保证了显示图像的质量。

公开(公告)号：CN103413891B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310370777.2

申请日：2013-08-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 唐伟 ,  郭小军 ,  冯林润 ,  赵家庆 ,  徐小丽 ,  蒋琛

IPC: H01L51/40

Abstract: 一种用以改进结构性能的有机薄膜晶体管制备方法，其通过对栅绝缘层进行表面改性同时实现电极精细化和有机半导体层图形化，具体步骤为：1）在绝缘衬底之上制备栅电极；2）在绝缘衬底和栅电极之上制备栅极绝缘层；3）采用自组装单分子层修饰栅极绝缘层的上表面形成表面改性层；4）在表面改性层上打印精细化的源电极和漏电极；5）采用紫外光照射处于源电极与漏电极之间的沟道区域，除去该区域内的表面改性层；6）采用电极修饰材料修饰源电极和漏电极；7)在栅极绝缘层和电极修饰材料之上自组装形成图形化的有机半导体层。本发明与全溶液法加工工艺兼容，能有效降低成本，实现高效生产，提升有机薄膜晶体管的电学性能。