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公开(公告)号：CN114035711B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202111230678.5
申请日：2021-10-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种外触发触控传感阵列及其制备方法。外触发触控传感阵列包括：衬底；双栅薄膜晶体管阵列，位于衬底表面，包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管；下隔离柱，位于双栅薄膜晶体管阵列背离衬底的表面；底层柔性防静电薄膜，位于下隔离柱上方，且底层柔性防静电薄膜朝向下隔离柱的底面具有共面电极、底层柔性防静电薄膜背离下隔离柱的顶面具有触发电极，触发电极为叉指电极，叉指电极的第一部分连接至触发行、第二部分连接至触发列；上隔离柱，位于触发电极背离衬底的表面；顶层柔性防静电薄膜，位于上隔离柱上方，顶层柔性防静电薄膜朝向上隔离柱的底面具有共面顶电极。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN116314213A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310512186.8
申请日：2023-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/12 , H10K19/00 , H10K19/10 , H01L27/088
Abstract: 本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。本发明提高了半导体结构的集成度。
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公开(公告)号：CN114577376A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111413862.3
申请日：2021-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及传感技术领域，尤其涉及一种压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感阵列包括：传感区，包括薄膜晶体管阵列、位于所述薄膜晶体管阵列表面的压敏薄膜、位于所述压敏薄膜表面的顶电极、以及位于所述薄膜晶体管阵列中间区域的行驱动信号电路，所述薄膜晶体管阵列包括呈阵列排布的多个薄膜晶体管，所述行驱动信号电路用于向所述薄膜晶体管传输行驱动信号；引脚区，位于所述传感区的外部，所述行驱动信号电路自所述薄膜晶体管阵列的中间区域引出至所述引脚区。本发明提供的压力传感阵列实现按需裁剪的个性化应用，并提高传感阵列的面积利用率和抗干扰性。
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公开(公告)号：CN109814751B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811634449.8
申请日：2018-12-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F3/041
Abstract: 一种触控显示设备，包括至少一像素单元，所述像素单元包括：像素驱动电路；以及第一发光二极管，与所述像素电路连接，工作在正向偏压下，用于发光；还包括：第二发光二极管，工作在反向偏压下，所述像素单元被触摸时环境光会产生变化，所述第二发光二极管的电流会相应发生变化；以及读出电路，与所述第二发光二极管连接，通过读取所述第二发光二极管的电流变化，作为判断所述像素单元是否被触摸的标准。
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公开(公告)号：CN113884226A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111142735.4
申请日：2021-09-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器、压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感器包括：薄膜晶体管，包括衬底、底栅电极、绝缘层、源电极和漏电极、半导体层、钝化层和顶栅电极，所述顶栅电极与所述漏电极通过贯穿所述钝化层的互连结构电连接；电阻式压力敏感薄膜，位于所述顶栅电极和所述钝化层上方，且所述电阻式压力敏感薄膜与所述顶栅电极之间具有空隙；顶电极，位于所述电阻式压力敏感薄膜背离所述顶栅电极的表面。本发明将电阻式压力敏感薄膜与薄膜晶体管形成纵向集成，有利于减小所述压力传感器的面积，易于制备高分辨率的传感器阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113588140A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110774829.7
申请日：2021-07-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器、压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感器包括：第一衬底，上表面具有第一传感电极、下表面具有第一屏蔽电极；第二衬底，上表面具有第二屏蔽电极、下表面具有第二传感电极，所述第二传感电极与所述第一传感电极相对设置；压敏薄膜，位于所述第一传感电极与所述第二传感电极之间，所述压敏薄膜为掺杂有导电材料的弹性绝缘薄膜，且所述压敏薄膜中具有沿所述第一衬底指向所述第二衬底的方向贯穿所述压敏薄膜的通孔；绝缘层，位于所述压敏薄膜与所述第一传感电极之间、以及所述压敏薄膜与所述第二传感电极之间；封装层。本发明提供的压力传感器在高压和薄厚度下具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111811700B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010527954.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器、压力传感装置及其制备方法。所述压力传感器包括：衬底；薄膜晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层；压力敏感薄膜，位于所述半导体层表面；下触发电极，位于所述压力敏感薄膜背离所述半导体层的表面；隔离柱，位于所述下触发电极背离所述压力敏感薄膜的表面；柔性防静电薄膜，位于所述隔离柱上方；上触发电极，位于所述柔性防静电薄膜朝向所述下触发电极的表面。由本发明提供的压力传感器组成的压力传感装置能够提高读取速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN110174213A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910455755.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01L25/00
Abstract: 本发明涉及压力传感技术领域，尤其涉及一种柔性压力传感阵列的校准方法。所述柔性压力传感阵列的校准方法包括如下步骤：依次施加多个不同大小的压力于整个所述柔性压力传感阵列，获取每一所述像素点在每一所述压力下的响应特征值；获得每一所述像素点的基础校准公式；提供补偿校准函数：获得每一所述像素点的补偿校准公式；计算每一所述像素点的基础校准公式与补偿校准公式的乘积，以所述乘积作为该像素点的校准公式。本发明提高了单个像素点的校准精度，确保了所述柔性压力传感阵列测量结果的准确度，改善所述柔性压力传感阵列的性能。
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公开(公告)号：CN109833607A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910090766.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种呼吸训练器的智能监测装置和监测方法，所述呼吸训练器中包括至少一个呼吸指示腔体，所述腔体内设置用于指示呼吸容量或流速的指示元件，所述智能检测装置包括：智能监测模块，用于固定于所述呼吸指示腔体外壁，所述智能监测模块包括至少一个传感器，所述传感器用于检测所述指示元件速度和位置。上述智能监测装置能够增加呼吸训练器的功能，提高准确性和效率。
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公开(公告)号：CN107843364A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711062196.7
申请日：2017-11-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L1/148
Abstract: 一种压力传感器、压力传感器阵列及其制备方法，其中压力传感器包括：有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管包括：衬底、位于衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极和衬底的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、覆盖所述源电极和漏电极以及绝缘层的半导体层；位于所述有机薄膜晶体管的半导体层上方的绝缘性压力敏感薄膜，所述压力敏感薄膜与所述半导体层之间具有空隙；位于所述压力敏感薄膜表面的顶电极。上述压力传感器具有更高的灵敏度和集成度。
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