一种自适应精度神经网络训练方法、系统及图像分类方法

    公开(公告)号:CN118898277A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202410937603.8

    申请日:2024-07-12

    Abstract: 本发明提供一种自适应精度神经网络训练方法和系统,包括:计算模型训练过程中的权重、激活和梯度对模型损失的敏感度度量,衡量各个层量化的影响;基于所述敏感度度量,设计权重、激活和梯度的位宽分配方案,在训练过程每经过一定的训练时间,根据所述敏感度度量对位宽逐层进行动态调整;各个层根据权重、激活和梯度调整后的当前位宽,选择对应的低位整数矩阵计算算子,替换掉原有的浮点计算算子。本发明能够在保证网络训练后的性能的前提下,降低网络训练过程中的计算量,减少神经网络训练在实际场景下的开销。

    一种基于自动枚举的注意力优化组合搜索方法

    公开(公告)号:CN118377804A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410510609.7

    申请日:2024-04-26

    Inventor: 戴国浩 丁立

    Abstract: 本发明公开了一种基于自动枚举的注意力优化组合搜索方法,涉及人工智能技术领域,接收用户给出的需要枚举的注意力参数配置文件;根据用户给定的大模型训练推理方法和注意力参数配置文件,启动模型训练推理流程,对各注意力参数组合进行试验;对应的试验结果收集相应性能指标;搜索每一种配置组合启动的训练推理,记录性能指标,写入报告文件中;枚举完所有注意力参数的排列组合之后,将训练推理的报告返回给用户;根据性能指标选取最好的参数组合输出给用户。

    一种鲁棒的三维点云分类方法、系统及装置

    公开(公告)号:CN117710726A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311646288.5

    申请日:2023-12-04

    Abstract: 本发明提供了一种鲁棒的点云分类方法、系统及装置,包括:将三维点云进行缩放,投射到预先构建的晶格上,计算每个点到晶格的逐点映射关系;计算晶格密度,去除孤立晶格点,得到尺度的晶格上的鲁棒点云表示;对鲁棒点云表示进行基于晶格密度的最远点采样,得到下一尺度的更粗糙点云表示的中心点;根据每个中心点的邻域,综合空间距离和密度差异构建邻接矩阵,提取尺度的特征;从最精细点云表示到最粗糙点云表示逐个尺度提取特征,最终得到全局特征,利用全局特征进行三维点云分类。本发明可以在保证点云分类准确性的前提下,显著提高点云分类对于噪声和离群点的鲁棒性,促进在自动驾驶、机器人等实际场景采集的有噪点云上的应用。

    一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器

    公开(公告)号:CN106123928B

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201610417269.9

    申请日:2016-06-15

    Abstract: 一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器,包括电接触端子以及设置于衬底之上的第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管,所述第一有机薄膜晶体管作为负载元件,采用有机半导体层埋在栅绝缘层下面的顶栅底接触型结构,所述第二有机薄膜晶体管作为传感元件实现各类传感功能,采用有机半导体层暴露在外面的底栅底接触型结构,该第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管公用同一栅绝缘层,组成互补反相器,所述电接触端子与所述第一有机薄膜晶体管连接。较之于单一有机薄膜晶体管传感器而言,本发明极大地提升了传感器的稳定性和降低了传感器的功耗,具有稳定性好、功耗低、结构简单、加工工序简化和制造成本低的优点。

    一种阵列背板电路及其制备方法

    公开(公告)号:CN106129001A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610644886.2

    申请日:2016-08-09

    CPC classification number: H01L27/1292 H01L27/1222 H01L51/0005 H01L51/0512

    Abstract: 本发明公开了一种阵列背板电路及其制备方法,所述阵列背板电路由驱动信号总线、数据信号总线、接地总线和若干单元电路组成,每一单元电路的结构包括:绝缘衬底、栅电极、共用电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、电极修饰材料、有机半导体层、层间绝缘膜、下层像素电极、显示材料和上层像素电极;所述的制备方法通过全溶液法实现所述阵列背板电路的器件的全部制作过程,按照加法工艺流程采用喷墨打印方法依次打印该阵列背板电路的各功能层,同时实现薄膜的图形化和过孔结构。本发明具有工艺简便、材料节省、滴定精确、易于大面积集成等优点,大大降低了设备和生产成本。

    基于组合式码道涡流栅位移传感器的位移检测方法

    公开(公告)号:CN115855128A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211411350.8

    申请日:2022-11-11

    Abstract: 本发明属于绝对位移定位领域,基于组合式码道涡流栅位移传感器结构的新型位移检测算法。采用编码码道与测量码道相结合的测量方式,将编码码道位预编码分组,对不确定编码位采用进退位编码,保证了编码过程的确定性。测量码道位移校正,补偿编码码道位移,保证了输出总位移连续变化,不产生大范围跳变。输出位移经过4点滑动平均,减少安装和制造工艺带来的偏差,基本消除测量位移百分位的跳动。本算法在组合式码道涡流栅位移传感器的建模测试中达到了良好的效果,验证了算法的实用性。

    一种阵列背板电路及其制备方法

    公开(公告)号:CN106129001B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201610644886.2

    申请日:2016-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种阵列背板电路及其制备方法,所述阵列背板电路由驱动信号总线、数据信号总线、接地总线和若干单元电路组成,每一单元电路的结构包括:绝缘衬底、栅电极、共用电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、电极修饰材料、有机半导体层、层间绝缘膜、下层像素电极、显示材料和上层像素电极;所述的制备方法通过全溶液法实现所述阵列背板电路的器件的全部制作过程,按照加法工艺流程采用喷墨打印方法依次打印该阵列背板电路的各功能层,同时实现薄膜的图形化和过孔结构。本发明具有工艺简便、材料节省、滴定精确、易于大面积集成等优点,大大降低了设备和生产成本。

    一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器

    公开(公告)号:CN105954322B

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201610341745.3

    申请日:2016-05-20

    Abstract: 一种基于有机薄膜晶体管的生物/化学传感器,包括由下而上依次层叠的衬底、第一栅电极、第一栅绝缘层、源/漏电极、有机半导体层、第二栅绝缘层、第二栅电极、敏感膜以及封装层,其中,第一栅电极、第一栅绝缘层、源/漏电极和有机半导体层构成置于底部的底栅晶体管,作为参考器件,源/漏电极、有机半导体层、第二栅绝缘层和第二栅电极构成置于顶部的顶栅晶体管,用作敏感器件,该顶栅晶体管与底栅晶体管构建成低电压双栅结构的有机薄膜晶体管,顶栅晶体管与底栅晶体管具有大差异的栅电容值,有机半导体层具有低的禁带缺陷密度。本发明具有工作电压低、灵敏度高、成本低、检测目标多样等优点,能够兼容大面积、快速的印刷/涂布制备工艺,可用于制造可穿戴或移动式传感器,在健康监测、保健医疗领域应用前景广阔。

    一种图形化导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106298070B

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201610749830.3

    申请日:2016-08-29

    Abstract: 一种图形化导电薄膜的制备方法,首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模,然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性,再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜,最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离,从而得到图形化的导电薄膜。本发明中的聚合物掩模图形可由自动化点胶设备中软件的自由设计,所得到的导电薄膜可满足溶液工艺生产的电子器件小批量、多样性的需求,使电子器件的生产更为灵活;所形成的掩模图形方法简单,并能够兼容导电薄膜的溶液工艺,降低了导电薄膜图形化的工艺复杂程度;在图形化过程中,所需的图形化导电薄膜表面没有其他材料覆盖,减少了清洗覆盖材料的步骤,避免了清洗时对导电薄膜的损伤。

    一种图形化导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106298070A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610749830.3

    申请日:2016-08-29

    Abstract: 一种图形化导电薄膜的制备方法,首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模,然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性,再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜,最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离,从而得到图形化的导电薄膜。本发明中的聚合物掩模图形可由自动化点胶设备中软件的自由设计,所得到的导电薄膜可满足溶液工艺生产的电子器件小批量、多样性的需求,使电子器件的生产更为灵活;所形成的掩模图形方法简单,并能够兼容导电薄膜的溶液工艺,降低了导电薄膜图形化的工艺复杂程度;在图形化过程中,所需的图形化导电薄膜表面没有其他材料覆盖,减少了清洗覆盖材料的步骤,避免了清洗时对导电薄膜的损伤。

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