公开(公告)号：CN102881827A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210382839.7

申请日：2012-10-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 冯林润 ,  唐伟 ,  徐小丽 ,  邵宪一 ,  郭小军

IPC: H01L51/40 ,  B41M5/00

Abstract: 一种用于溶液法小分子有机薄膜晶体管的接触式印刷工艺，其采用由控制系统控制的进样器靠近和对准位于基板上两电极之间的沟道区域，并且进样器精确地完成半导体墨水出墨，实现有机小分子半导体的沉积；所述工艺包括如下步骤：1)进样器靠近和对准，2)半导体墨水出墨，3)完成有机小分子半导体的制备。本发明最大限度减缓了半导体墨水材料中溶剂的挥发速度，有利于小分子半导体的结晶，能够更好的和现有硅基电子工艺兼容，促进溶液法小分子有机薄膜晶体管的工艺可行性，具有节约成本、改善器件性能的优点，能够有效应用于有机小分子半导体的加工。

公开(公告)号：CN104240798A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410499121.5

申请日：2014-09-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭小军 ,  陈苏杰 ,  邵宪一 ,  黄珏坤

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法，该透明导电薄膜位于透明衬底之上，为电金属纳米线和导电聚合物的共混体系或是自下而上依次为金属纳米线层和到导电聚合物层的组合层，所述金属纳米线包括金、银、铜和镍纳米线，所述导电聚合物为pH值中性的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。本发明的透明导电薄膜不仅增加了金属纳米线薄膜的导电均一性，而且使透明导电薄膜在水氧环境中存放、加热以及加电流的情况下具有更高稳定性。

公开(公告)号：CN103050626A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210525390.5

申请日：2012-12-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 邵宪一 ,  冯林润 ,  唐伟 ,  李思莹 ,  郭小军

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 一种溶液法电解质薄膜晶体管及其制备方法，该电解质薄膜晶体管为顶栅顶接触结构，包括绝缘衬底、半导体层、电解质绝缘层、源电极、漏电极和栅电极；其中，绝缘衬底位于电解质薄膜晶体管的最底层，半导体层位于绝缘衬底之上，电解质绝缘层覆盖于半导体层的部分上表面之上，源电极和漏电极分别制备在电解质绝缘层两侧的半导体层上并被电解质绝缘层隔开，栅电极制备在电解质绝缘层上；所述制备方法通过图案化光交联处理，并使用溶剂将部分电解质绝缘层处理掉，再进行单次真空蒸镀，利用表面高度差同时分别形成栅极、源极和漏极。本发明实现了低开态电压和大工作电流，并简化了加工工艺，降低了成本，适用于低成本的柔性电子技术。